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IRFR1205TR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: IRFR1205TR-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR1205TR-VB

IRFR1205TR-VB概述


    产品简介


    IRFR1205TR 电子元器件是一款N沟道增强型场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode MOSFET),属于TrenchFET®系列。它具有出色的导通电阻和高电流承载能力,适用于各种功率转换和控制应用。IRFR1205TR 主要用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效能、高可靠性的电力系统。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 穿透电压 (V(BR)DSS): 60V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):
    - VDS=60V, VGS=0V, TJ=125°C: 50µA
    - VDS=60V, VGS=0V, TJ=175°C: 250µA
    - 电流参数
    - 持续漏极电流 (ID):
    - TC=25°C: 45A
    - TC=100°C: 35A
    - 单次雪崩能量 (EAS): 20mJ
    - 最大耗散功率 (PD):
    - TC=25°C: 100W
    - TA=25°C: 3a
    - 热阻参数
    - 最大结-壳热阻 (RthJC): 3.2°C/W
    - 最大结-环境热阻 (RthJA): 18°C/W (≤10秒)
    - 其他参数
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C到175°C
    - 顶部散热片连接至漏极
    - 具有双层封装 (TO-252)
    - 符合RoHS标准

    产品特点和优势


    IRFR1205TR 的主要特点是其卓越的低导通电阻和高耐温性能。即使在高达175°C的温度下,其导通电阻依然表现稳定,这使其特别适合于高温应用场合。此外,它的快速开关特性使其非常适合高频应用,如高频逆变器和开关电源。N-Channel MOSFET设计确保了其在功率应用中的高效率和可靠性,这些特性使其在市场上具有显著的竞争优势。

    应用案例和使用建议


    IRFR1205TR 在多种工业应用中表现出色,例如电机驱动和开关电源。在电机驱动应用中,IRFR1205TR 可以显著提高效率并减少发热,从而延长电机寿命。在开关电源中,它可以帮助实现更高的转换效率和更稳定的输出。为了优化IRFR1205TR的应用效果,建议采用良好的散热设计和合适的PCB布局,以充分利用其低热阻特性。

    兼容性和支持


    IRFR1205TR 是一款标准化产品,与其他常见的电子元器件兼容良好。VBsemi 提供详尽的技术支持和文档资源,帮助客户轻松集成该器件。对于复杂的项目,还可以联系VBsemi 的技术支持团队获取进一步的帮助和建议。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温环境下器件失效
    - 解决方案: 请确保正确安装散热器,并检查电路布局,避免局部过热。参考手册中的建议进行散热设计,可以有效降低工作温度。
    - 问题2:启动延迟时间较长
    - 解决方案: 通过调整外部电路参数(如栅极电阻)来优化启动特性。建议查阅典型特性曲线,了解最佳配置。
    - 问题3:输出电流不足
    - 解决方案: 检查驱动信号是否足够强,以及电路中是否存在额外的压降。确保驱动电路提供足够的电流和电压。

    总结和推荐


    IRFR1205TR 是一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管,以其卓越的低导通电阻、高电流承载能力和宽工作温度范围在电力系统中表现优异。适用于多种工业应用,尤其适合需要高可靠性和高效能的场合。综上所述,强烈推荐使用 IRFR1205TR 进行相关电力系统的开发与设计。

IRFR1205TR-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 45A
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR1205TR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR1205TR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR1205TR-VB IRFR1205TR-VB数据手册

IRFR1205TR-VB封装设计

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