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25P03LG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 P沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252在电源管理模块中,可用于电源开关、DC-DC转换器和电源逆变器等功能。
供应商型号: 25P03LG-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 25P03LG-VB

25P03LG-VB概述

    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种专为高性能电源管理和开关应用设计的产品。该产品采用TrenchFET®技术,具备低导通电阻和高电流处理能力,适用于负载开关和笔记本适配器开关等应用。其紧凑的设计使其非常适合现代电子设备的高密度布局需求。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS):30 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.033 Ω @ VGS = -10 V, ID = -10 A
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):-1.0 V ~ -2.5 V
    - 输入电容 (Ciss):1350 pF
    - 输出电容 (Coss):255 pF
    - 反向转移电容 (Crss):190 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):27 nC @ VDS = -15 V, VGS = -10 V, ID = -10 A
    - 电气特性
    - 连续漏极电流 (ID):-112 A
    - 最大功率耗散 (PD):25 W @ TC = 25 °C, 20 W @ TC = 70 °C, 2.7 W @ TA = 25 °C, 1.7 W @ TA = 70 °C
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55 °C ~ 150 °C
    - 热阻
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):38 °C/W @ t ≤ 10 s, 46 °C/W @ t > 10 s
    - 最大结到引脚热阻 (RthJF):20 °C/W

    产品特点和优势


    - 环保材料:该产品符合RoHS标准,不含卤素,适合绿色环保应用。
    - 高可靠性:所有产品均通过100% Rg和UIS测试,确保高度可靠。
    - 低导通电阻:RDS(on)低至0.033 Ω,可实现高效能转换。
    - 快速响应时间:具备快速的开关性能,尤其适用于高频应用。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关:在电池管理电路中作为开关,能够有效控制电流流动。
    - 笔记本适配器开关:用于电源适配器中,提高电源转换效率。

    使用建议:为了优化性能,建议将该MOSFET安装在具有良好散热条件的FR4板上,并确保PCB设计能够有效地散热。此外,合理选择外部元件参数,如栅极电阻,以保证最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品采用TO-252封装,与多种电源管理IC兼容,适用于各种应用电路。
    - 支持服务:提供详细的技术文档和24小时技术支持热线(400-655-8788),以便用户随时获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:长时间使用后,温度过高。
    - 解决方案:检查散热片是否正确安装并确保良好的空气流通。
    - 问题:开启和关闭时出现不稳定现象。
    - 解决方案:确保合适的栅极电阻,并检查电路连接是否稳固。

    总结和推荐


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET凭借其卓越的性能、环保特性和广泛的适用性,在电源管理和开关应用中表现优异。其低导通电阻、快速响应时间和高可靠性使其成为一种理想的选择。推荐用于需要高效能转换和严格环境要求的应用场景。

25P03LG-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 26A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,46mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
配置 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

25P03LG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

25P03LG-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 25P03LG-VB 25P03LG-VB数据手册

25P03LG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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型号 价格(含增值税)
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