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IRF830P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: IRF830P-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF830P-VB

IRF830P-VB概述

    IRF830P-VB 电子元器件技术手册

    产品简介


    产品名称:IRF830P-VB
    产品类型:N-通道功率MOSFET
    主要功能:用于开关模式电源(SMPS)中的高频电源开关,具备低栅极电荷、改进的栅极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性,适用于不间断电源系统等高电流应用。
    应用领域:主要用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)以及离线SMPS拓扑结构中的主开关,如有源钳位前馈电路。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):600V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):10V时为0.780Ω
    - 最大总栅极电荷 (Qg max.):49nC
    - 栅源电荷 (Qgs):13nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):20nC
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS):600V
    - 栅源电压 (VGS):±30V
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):37A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):290mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):8.0A
    - 重复雪崩能量 (EAR):17mJ
    - 最大功率耗散 (PD):170W
    - 峰值二极管恢复 (dV/dt):5.0V/ns
    - 最高工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 热阻额定值 (RthJA):62°C/W
    - 驱动电流 (ID):10V时,连续工作条件下为8.0A,100°C时为5.8A

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:简化驱动要求,降低功耗,提高系统效率。
    - 鲁棒性增强:具有改进的栅极、雪崩和动态dv/dt特性,适合于严苛的工作环境。
    - 全面测试:全参数化特性,确保可靠性和耐用性。
    - 广泛应用:适用于各种高压环境,例如开关电源和不间断电源系统,可广泛应用于工业控制、通信设备等领域。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在典型的开关电源设计中,IRF830P-VB常被用于主开关,保证系统在高频率下的高效运行。例如,在离线SMPS拓扑中,当采用有源钳位前馈电路时,IRF830P-VB能够有效提升系统效率并减少热损耗。

    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑其高电压和高电流特性的限制,选择合适的驱动电路以避免过压或过流情况的发生。
    - 注意散热设计,特别是在高温环境下使用时,必须确保良好的热管理措施。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准TO-220AB封装兼容,方便集成到现有系统中。
    - 支持:制造商提供详细的技术支持和售后服务,用户可以通过官网或其他授权渠道获取更多资料和技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何确定最大工作电流?
    - 解决方法:查阅技术手册,根据不同的工作条件(如TJ温度),查找图表确定具体的最大工作电流。
    - 问题二:如何进行有效的热管理?
    - 解决方法:确保适当的散热片安装,避免过热损坏。参考手册中提供的热阻参数进行设计。

    总结和推荐


    IRF830P-VB是一款高性能的N-通道功率MOSFET,以其出色的耐受性和广泛的适用性受到市场的欢迎。它特别适合于需要高可靠性、强鲁棒性和良好热管理的应用场景,如开关电源和不间断电源系统。推荐在类似项目中使用,以获得最佳性能和稳定性。
    如有任何疑问,欢迎拨打服务热线:400-655-8788 或访问官网获取更多信息:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)。

IRF830P-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 8A
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRF830P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF830P-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF830P-VB IRF830P-VB数据手册

IRF830P-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.7982
100+ ¥ 2.5909
500+ ¥ 2.4872
1000+ ¥ 2.3837
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