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IRFR420TR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: IRFR420TR-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR420TR-VB

IRFR420TR-VB概述

    IRFR420TR Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRFR420TR 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,具有低栅极电荷(Qg)和高电流处理能力。这款 MOSFET 主要应用于电机控制、电源转换、电池充电及其它需要高效能功率转换的应用场合。它能够在高温环境下稳定工作,同时提供出色的瞬态热阻抗性能。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的关键技术规格和性能参数:
    - 最大漏源电压(VDS):650 V
    - 导通电阻(RDS(on)):VGS = 10 V 时为 2.1 Ω
    - 最大栅极电荷(Qg):48 nC
    - 栅源电荷(Qgs):12 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):19 nC
    - 连续漏极电流(ID):TC = 25 °C 时为 4.2 A;TC = 100 °C 时为 4.2 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):18 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):325 mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):4 A
    - 重复雪崩能量(EAR):6 mJ
    - 最大功耗(PD):TC = 25 °C 时为 60 W
    - 最大结温(TJ):-55 到 +150 °C
    - 焊接推荐温度(峰值):300 °C
    - 安装扭矩:6-32 或 M3 螺丝,10 lbf·in(1.1 N·m)

    产品特点和优势


    IRFR420TR 具备以下独特功能和优势:
    - 低栅极电荷:简化驱动要求,降低驱动损耗。
    - 改善的门极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性:提高了产品的可靠性。
    - 全面的电容和雪崩电压电流特征:提供了详细的电气参数。
    - 符合 RoHS 指令:环保合规,适用于各类应用。

    应用案例和使用建议


    IRFR420TR 可广泛应用于电机控制、逆变器、电源供应器等领域。以下是几个典型应用场景和使用建议:
    - 电机控制:适合用于驱动三相电机,特别是在高电压和高频切换的应用中。
    - 电源转换:可以作为降压或升压转换器的核心元件,提高系统的效率。
    - 电池充电:适合于快速充电系统,能有效管理高功率需求。
    建议使用时注意以下几点:
    - 确保散热设计合理,以避免高温对器件的影响。
    - 选择合适的驱动电路以优化栅极电荷,减少开关损耗。

    兼容性和支持


    IRFR420TR 支持标准 TO-252 封装,可方便地集成到现有的设计中。厂商提供详尽的技术文档和支持,确保用户能够轻松进行应用开发和故障排除。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册,常见的用户问题及解决方案包括:
    - 过高的栅源电压(VGS):确保 VGS 不超过 ±30 V,以避免损坏。
    - 过大的电流应力:遵循手册中的电流限制指导,以防止器件过载。
    - 不适当的焊接温度:遵循手册中的焊接温度推荐值,避免过度加热导致损坏。

    总结和推荐


    总体来看,IRFR420TR 是一款出色的 N 沟道 MOSFET,适用于各种高电压和高功率应用。其出色的电气性能、良好的可靠性和环保特性使其在市场上具备显著的竞争优势。推荐给那些需要高性能功率转换和可靠运行的客户。

IRFR420TR-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 4A
配置 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR420TR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR420TR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR420TR-VB IRFR420TR-VB数据手册

IRFR420TR-VB封装设计

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