处理中...

首页  >  产品百科  >  CED12N10L-VB

CED12N10L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,15A,RDS(ON),115mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.41Vth(V) 封装:TO-251
供应商型号: CED12N10L-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) CED12N10L-VB

CED12N10L-VB概述

    N-Channel 100V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    CED12N10L 是一款适用于电力电子应用的 N 沟道 MOSFET,能够在高达 175°C 的结温下稳定工作。此款 MOSFET 主要用于主侧开关,广泛应用于各种工业和消费电子产品中。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 100 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C 时为 15 A
    - TC = 125°C 时为 8.7 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 45 A
    - 最高功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C 时为 61 W
    - TA = 25°C 时为 2.7 W
    - 输出电容 (Coss): 110 pF
    - 输入电容 (Ciss): 892 pF
    - 关断延时时间 (td(off)): 17 ns 至 25 ns
    - 导通延时时间 (td(on)): 8 ns 至 12 ns
    - 关断时间 (tf): 30 ns 至 45 ns

    产品特点和优势


    - 高可靠性: 在高温环境下仍能保持稳定工作。
    - 低阻抗: 具有较低的导通电阻,从而降低功耗和提高效率。
    - 快速开关: 较快的开关时间使得其非常适合高频应用。
    - 强大的短路保护能力: 高电流耐受能力和重复雪崩能量确保设备的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    CED12N10L 广泛应用于主侧开关电路。由于其在高温下的可靠性和低阻抗,特别适合需要高效、紧凑设计的应用场景。例如,在直流到直流转换器和电池充电器中,可以有效地减少热损失并提高整体效率。建议用户根据具体应用场景选择适当的驱动电阻,以优化开关时间和降低功耗。

    兼容性和支持


    此产品与标准的 PCB 设计兼容,适合表面安装。制造商提供了全面的技术支持和售后服务,以确保客户能够顺利使用产品并解决任何可能出现的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关时出现高频振荡。
    - 解决方案: 增加栅极电阻或使用栅极驱动电路来抑制振荡。
    - 问题2: 温度过高导致设备过热。
    - 解决方案: 确保良好的散热措施,如使用散热片或风扇,以维持适当的温度。

    总结和推荐


    总体而言,CED12N10L 在多个方面表现出色,具有高可靠性、低阻抗和快速开关的特点,使其成为许多应用的理想选择。特别是在要求高效、紧凑设计的场合,它展示了出色的性能。强烈推荐用户在类似的电力电子应用中使用这款 MOSFET。

CED12N10L-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 15A
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,120mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.41V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

CED12N10L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

CED12N10L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 CED12N10L-VB CED12N10L-VB数据手册

CED12N10L-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.5546
100+ ¥ 1.4394
500+ ¥ 1.3818
4000+ ¥ 1.3243
库存: 400000
起订量: 20 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 31.09
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336