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IPP023N10N5-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO-220AB
供应商型号: IPP023N10N5-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP023N10N5-VB

IPP023N10N5-VB概述

    IPP023N10N5-VB 技术手册解析
    IPP023N10N5-VB 是一种N沟道100V MOSFET,属于ThunderFET®系列。这种MOSFET具有多种特性,适用于各种电源管理、电机控制和其他功率转换应用。

    产品简介


    产品类型:
    IPP023N10N5-VB 是一款N沟道100V MOSFET,特别设计用于高效率的功率转换应用。
    主要功能:
    - 最大耐温范围:175℃
    - 高达480A的脉冲漏电流能力
    - 优秀的抗雪崩能力和高可靠性
    - 超过绝对最大额定值的电压和电流可能造成永久性损坏
    应用领域:
    - 电源管理
    - 电机驱动
    - 工业自动化
    - 消费电子产品

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 100V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 最大连续漏电流 (TJ = 150 °C): 120A
    - 脉冲漏电流 (t = 100 μs): 480A
    - 单次雪崩能量 (EAS): 266mJ
    - 最大功耗 (TJ = 25 °C): 370W
    - 最大存储温度范围: -55°C 至 +175°C
    - 热阻抗:
    - 结到环境热阻 (RthJA): 40°C/W
    - 结到管壳热阻 (RthJC): 0.4°C/W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 100V
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): 2.5-4V
    - 零栅电压漏电流 (IDSS): 1μA (VDS = 100V)
    - 导通漏电流 (ID(on)): 120A (VGS = 10V)
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.005Ω (VGS = 10V)
    - 输入电容 (Ciss): 10000pF (VDS = 50V, VGS = 0V)

    产品特点和优势


    - 高耐温性: 最高耐温可达175℃,适合高温环境应用。
    - 高可靠性: 100% Rg和UIS测试确保可靠性。
    - 优秀的动态特性: 高速开关性能,低导通电阻,适于高频应用。
    - 广泛的适用性: 在各种条件下都能保持稳定性能,适用于多种工业和消费级应用。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理: 适用于高效直流-直流转换器,如DC-DC变换器。
    - 电机驱动: 适用于步进电机和伺服电机的驱动电路。
    - 工业自动化: 在工业机器人和自动化设备中用于控制和保护。
    使用建议:
    - 确保MOSFET的工作温度不超过最大允许值,以免影响使用寿命。
    - 使用适当的散热措施以减少热阻抗,特别是在高负载条件下。
    - 谨慎选择外围电路参数,避免超过绝对最大额定值。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该MOSFET与标准的TO-220封装兼容,适用于各种PCB设计。
    - 支持和服务: 请联系台湾VBsemi公司获取更多技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 漏电流过高
    - 解决办法: 检查是否有短路现象,确保负载和电路连接正确。

    - 问题2: 温度过高
    - 解决办法: 确认散热措施是否到位,适当增加散热片面积。
    - 问题3: 开关速度慢
    - 解决办法: 减小栅极电阻值,提高驱动信号频率。

    总结和推荐


    IPP023N10N5-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,具备高耐温、高可靠性和良好的动态特性,非常适合在高效率功率转换应用中使用。其广泛的应用领域和较强的市场竞争力使其成为众多电源管理和电机控制系统的理想选择。
    推荐使用: 如果您需要一个能在高负载和高温度环境下稳定工作的MOSFET,IPP023N10N5-VB无疑是一个值得考虑的选择。

IPP023N10N5-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,19mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 120A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP023N10N5-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP023N10N5-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP023N10N5-VB IPP023N10N5-VB数据手册

IPP023N10N5-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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