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IRFP4227PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO247;N—Channel沟道,200V,96A,RDS(ON),20mΩ@10V,24mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V);
供应商型号: 14M-IRFP4227PBF TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFP4227PBF

IRFP4227PBF概述

    IRFP4227PBF-VB N-Channel 200 V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRFP4227PBF-VB 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于ThunderFET® 系列。它主要用于电力转换和控制领域,广泛应用于不间断电源、开关电源、同步整流、直流电机驱动、逆变器、微型太阳能逆变器以及D类音频放大器等多种场合。此款MOSFET的最大结温为175°C,适用于高温环境下的应用。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 200 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 最大连续漏电流 (TJ = 150°C):
    - 25°C 下: 96 A
    - 70°C 下: 75 A
    - 最大脉冲漏电流 (t = 100 μs): 240 A
    - 最大单次雪崩能量 (EAS): 180 mJ
    - 最大功率耗散 (Tc = 25°C): 375 W
    - 热阻 (Junction-to-Ambient): 40 °C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 200 V
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): 3 - 5 V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): ≤1 μA
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 4132 pF
    - 输出电容 (Coss): 246 pF
    - 转移电容 (Crss): 21 pF
    - 总栅电荷 (Qg): 64 nC
    - 热特性:
    - 结到环境热阻 (RthJA): 40 °C/W
    - 结到壳体热阻 (RthJC): 0.4 °C/W

    产品特点和优势


    IRFP4227PBF-VB 的核心优势在于其卓越的耐高温能力(最高175°C)和高可靠性。它的 ThunderFET® 技术使其具备较低的导通电阻(RDS(on)),并且已经通过100%的Rg和UIS测试,确保了在极端条件下的稳定性能。此外,该器件还具有出色的动态性能,如低输入电容和输出电容,有助于减少开关损耗,提高整体能效。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 不间断电源 (UPS): 在这种应用中,IRFP4227PBF-VB 可以有效地处理高频率开关,从而提高系统效率。
    - 开关电源: 高效率和高可靠性使得这款 MOSFET 成为 AC/DC 和 DC/DC 转换器的理想选择。
    - 电机驱动: 在需要频繁切换和精确控制的应用中,这款 MOSFET 可提供可靠的开关性能。
    使用建议:
    - 在设计电路时,要确保栅极驱动信号的稳定性,避免栅极过压导致器件损坏。
    - 在高温环境中使用时,注意散热设计,确保结温不超过额定值。
    - 为了降低开关损耗,建议选择合适的栅极电阻(Rg)以优化总栅电荷(Qg)。

    兼容性和支持


    IRFP4227PBF-VB 支持标准的 TO-247AC 封装,适合大多数常见的PCB布局。制造商 VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的文档、技术支持热线及在线论坛。此外,该器件符合RoHS标准,符合无卤素材料要求,满足现代电子产品对环保的需求。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关时出现不稳定现象。
    - 解决方案: 检查并优化栅极驱动电路的设计,确保适当的栅极电阻以避免振铃现象。
    - 问题: 散热不足导致温度过高。
    - 解决方案: 采用更有效的散热措施,例如增加散热片或者改善散热路径,确保良好的热传导。

    总结和推荐


    总体而言,IRFP4227PBF-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET,具有卓越的耐高温能力和出色的动态性能。在电力转换和控制系统中表现出色,特别是在要求高可靠性和高效率的应用中。尽管其成本略高于同类产品,但考虑到其优异的性能和长期的可靠性,我们认为这款器件是非常值得推荐的选择。

IRFP4227PBF参数

参数
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 50nC
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ@ 10V,10A
Id-连续漏极电流 130A
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.132nF
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-247
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRFP4227PBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFP4227PBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFP4227PBF IRFP4227PBF数据手册

IRFP4227PBF封装设计

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型号 价格(含增值税)
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