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IRF9640STRR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO263;P—Channel沟道,-200V;-6.5A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-2V;
供应商型号: 14M-IRF9640STRR TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF9640STRR

IRF9640STRR概述

    IRF9640STRR-VB P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF9640STRR-VB 是一款 P 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET),由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产。它具有动态 dV/dt 额定值、重复雪崩额定值、快速开关、易于并联以及简单的驱动要求等特点。这款 MOSFET 主要应用于电源管理和控制电路中,广泛用于逆变器、开关电源及电机控制等领域。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): -200V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID): -11A (TC=25°C),-6.8A (TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): -44A
    - 最大功率耗散 (PD): 125W (TC=25°C)
    - 最大热阻抗 (RthJA): 62°C/W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 700mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): -11A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 13mJ
    - 栅源电容 (Ciss): 200pF
    - 输出电容 (Coss): 370pF
    - 反向转移电容 (Crss): 81pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 44nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 7.1nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 27nC

    产品特点和优势


    1. 动态 dV/dt 额定值:允许高瞬态电压而不损害器件。
    2. 重复雪崩额定值:适用于要求高可靠性的场合。
    3. P 沟道设计:适用于需要负电压控制的应用。
    4. 快速开关:降低功耗,提高效率。
    5. 易于并联:便于实现大电流应用。
    6. 简单驱动要求:减少外部驱动电路复杂性。

    应用案例和使用建议


    IRF9640STRR-VB 在逆变器和电源管理电路中表现出色。例如,在逆变器中,它可以作为高侧开关使用,确保高效转换。在使用时,建议遵循以下几点:
    - 确保 PCB 布局考虑低寄生电感和接地平面以减少电磁干扰。
    - 根据应用需求选择合适的驱动电阻 (Rg) 以达到理想的开关速度。

    兼容性和支持


    - 与其他标准 P 沟道 MOSFET 相比,IRF9640STRR-VB 的接口是通用的,可以轻松替换其他品牌的产品。
    - VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的安装指南和故障排除文档。客户还可以通过官方服务热线获得帮助。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 开关速度慢?
    - A: 调整驱动电阻 (Rg) 以加快开关速度。
    2. Q: 漏电流大?
    - A: 检查 PCB 布局是否有寄生电感,适当优化布局。
    3. Q: 功率耗散过高?
    - A: 确保散热片安装正确,使用低热阻抗材料。

    总结和推荐


    IRF9640STRR-VB 在 P 沟道 MOSFET 中表现优异,具有动态 dV/dt 额定值、快速开关和易于并联的特点,特别适合需要高可靠性和低功耗的应用场景。总体来说,我们强烈推荐这款产品用于各种高电流、高频率的开关应用。
    如果您对 IRF9640STRR-VB 有任何疑问或需要进一步的信息,请联系台湾 VBsemi 官方客服:400-655-8788。

IRF9640STRR参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF9640STRR厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF9640STRR数据手册

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IRF9640STRR封装设计

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