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IRFU5410PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO251;P—Channel沟道,-100V,-15A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V);
供应商型号: 14M-IRFU5410PBF TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFU5410PBF

IRFU5410PBF概述

    # P-Channel 100V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    P-Channel 100V (D-S) MOSFET 是一款高性能的沟槽场效应晶体管(TrenchFET),适用于多种功率转换和开关应用。它具有优良的电气特性,广泛应用于直流/直流转换器和电源开关等领域。这款MOSFET符合RoHS标准,并且是无卤素设计,满足现代电子产品对环保的要求。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 (VDS) | 100 | V |
    | 栅极阈值电压 (VGS(th)) | 1 ~ 2.5 | V |
    | 漏极电流 (ID) | 15 | A |
    | 最大持续漏极电流 (ID) | 16 @ TC = 70| A |
    | 最大脉冲漏极电流 (IDM)| 50 | A |
    | 最大单脉冲能量 (EAS) | 16.2 | mJ |
    | 工作温度范围 (TJ) | -55 to 150 | °C |
    | 结温至环境热阻 (RthJA)| 50 | °C/W |
    | 栅极电阻 (Rg) | 1.2 ~ 11.5 | Ω |

    产品特点和优势


    1. TrenchFET®技术:采用先进的沟槽场效应技术,提高器件的开关速度和耐压能力。
    2. 100%测试:所有器件经过栅极电阻(Rg)和雪崩耐受性(UIS)测试,确保产品质量。
    3. 低导通电阻 (RDS(on)):在VGS = -10V时,RDS(on)为0.100Ω;在VGS = -4.5V时,RDS(on)为0.120Ω。
    4. 环境友好:无卤素材料,符合RoHS标准,适合现代绿色电子产品。
    5. 高可靠性:通过严格的质量控制,保证长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    电源开关:P-Channel 100V MOSFET 可用于高频电源开关,如电池充电器和电源适配器。
    直流/直流转换器:在高效率的DC/DC转换器中作为开关元件,用于提升系统的整体能效。
    使用建议
    - 在使用过程中,应注意散热问题,避免过热导致损坏。建议在PCB上使用大面积铜箔来提高散热效果。
    - 针对不同应用需求,调整栅极驱动电压,以优化开关速度和损耗。
    - 由于该器件具有较高的雪崩耐受能力,因此在短时过载情况下也能稳定工作,但需注意长时间过载可能影响器件寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此MOSFET可与标准电路板和相关组件无缝集成,适用于多种电路设计。
    - 技术支持:制造商提供详尽的技术文档和支持,包括设计指南、应用笔记和故障排除技巧。此外,客户可通过服务热线400-655-8788获得进一步的技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确连接栅极和源极?
    - 解答:根据封装类型(例如TO-251)正确连接栅极和源极,确保电路设计符合产品手册要求。

    2. 问题:在高功率应用中如何避免过热?
    - 解答:在设计时考虑适当的散热措施,如增加散热片、优化PCB布局,以及使用高性能导热材料。
    3. 问题:如何判断是否达到最大电流限制?
    - 解答:监控电路中的实际电流,确保不超过额定的最大连续电流(16A)。可以使用电流传感器进行实时监测。

    总结和推荐


    P-Channel 100V MOSFET凭借其先进的TrenchFET技术、低导通电阻和出色的电气性能,使其成为电源管理和转换应用的理想选择。它的广泛应用和高可靠性使其在市场上具备强大的竞争力。对于需要高性能和环保设计的工程师来说,这款MOSFET是一个值得信赖的选择。我们强烈推荐在各种功率转换和开关应用中使用这款产品。

IRFU5410PBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFU5410PBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFU5410PBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFU5410PBF IRFU5410PBF数据手册

IRFU5410PBF封装设计

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