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FDA28N50

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO-3P;N—Channel沟道,600V,47A,RDS(ON),70mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);
供应商型号: 14M-FDA28N50 TO-3P
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDA28N50

FDA28N50概述

    FDA28N50-VB N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDA28N50-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道超级结功率MOSFET,适用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及各种工业应用,如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器和可再生能源系统(如光伏逆变器)。此外,它也广泛应用于高能效照明系统,包括高强度放电灯(HID)和荧光灯照明。

    技术参数


    以下是FDA28N50-VB的主要技术参数:
    - 最大耐压(VDS):600 V
    - 导通电阻(RDS(on)):25 °C时为0.06 Ω
    - 总栅极电荷(Qg):最大值273 nC
    - 输入电容(Ciss):典型值5682 pF
    - 输出电容(Coss):典型值251 pF
    - 反向传输电容(Crss):典型值1 pF
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C):25 °C时47 A,100 °C时30 A
    - 脉冲漏极电流:最高可达142 A
    - 最大耗散功率(PD):415 W
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):1410 mJ
    - 最高工作结温和存储温度(TJ, Tstg):-55 至 +150 °C

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:总栅极电荷(Qg)仅为273 nC,这显著降低了器件在高频开关应用中的能耗。
    2. 低输入电容:输入电容(Ciss)典型值为5682 pF,有助于减少寄生效应,提高效率。
    3. 超低雪崩能量等级:单脉冲雪崩能量(EAS)高达1410 mJ,增强了器件在高压环境下的可靠性。
    4. 快速开关特性:转导电容和相关电容的优化使得该器件在高频应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    FDA28N50-VB适用于多种高压、大功率的应用场景。例如,在高能效照明系统中,它的低栅极电荷和低输入电容可以显著提升系统效率,减少热量产生。在焊接、感应加热和电机驱动等工业应用中,它的高可靠性和快速开关特性能够满足严格的工业标准。建议在使用该器件时,确保散热良好,特别是在高功率应用中,以避免过热问题。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FDA28N50-VB具有高集成度和通用性,易于与其他电子元器件和设备配合使用。
    - 支持:台湾VBsemi提供详细的技术文档和支持,用户可以通过400-655-8788服务热线获取更多技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件过热
    - 解决办法:确保良好的散热措施,如加装散热片或使用水冷系统。
    2. 问题:栅极电荷过高
    - 解决办法:优化电路设计,降低开关频率或选用更低栅极电荷的MOSFET型号。
    3. 问题:高频振荡
    - 解决办法:增加外部阻尼电路,减小寄生电感,优化PCB布局。

    总结和推荐


    FDA28N50-VB凭借其低栅极电荷、低输入电容和高可靠性的特性,成为高性能开关电源和高压工业应用的理想选择。其卓越的性能使其在市场上具备强大的竞争力。总体而言,强烈推荐这款产品给需要高效、高可靠性电力解决方案的工程师和技术人员。

FDA28N50参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V,6.6A
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.31nF
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 28A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 100nC@ 240V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-3P
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDA28N50厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDA28N50数据手册

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FDA28N50封装设计

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