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VBE165R12S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,12A,RDS(ON),0.340Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO252
供应商型号: VBE165R12S TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE165R12S

VBE165R12S概述


    产品简介


    本产品是一款N沟道超级结功率MOSFET(N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET),型号为VBE165R12S。它具有超低导通电阻(RDS(on))和高耐压特性,适用于多种电力电子应用场景。本产品主要应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯)、工业设备(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器及可再生能源系统)等领域。

    技术参数


    静态参数
    - 导通电阻(RDS(on))典型值:0.340Ω (在25°C时)
    - 漏源击穿电压(VDS)最大值:650V (TJ 最大温度下)
    - 栅极-源极阈值电压(VGS(th))范围:2.0V - 4.0V
    - 正向转移电导(gfs)典型值:8.7S
    - 栅极-源极泄漏电流(IGSS)范围:±100nA(VGS = ±20V时)
    动态参数
    - 输入电容(Ciss)典型值:2500 pF
    - 输出电容(Coss)典型值:51 pF
    - 反向转移电容(Crss)典型值:12 pF
    - 总栅极电荷(Qg)典型值:5 nC
    - 开启延迟时间(td(on))典型值:12 ns
    - 关断延迟时间(td(off))典型值:61 ns
    绝对最大额定值
    - 栅极-源极电压(VGS):±30V
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C时):100 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):320 mJ
    - 最大耗散功率(PD):180 W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 栅极-源极漏电流(IDSS):最大10 μA (VDS = 520 V, VGS = 0 V, TJ = 125 °C)

    产品特点和优势


    本产品具备多个独特功能和优势,使其在各类电力电子应用中表现出色。主要包括:
    - 极低的Ron x Qg因子,实现低功耗
    - 低输入电容(Ciss),减少开关损耗
    - 超低栅极电荷(Qg),提高开关速度
    - 雪崩能量评级(UIS),提升可靠性
    这些特性使本产品在需要高效、高速转换的应用中表现出色,具有较高的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    本产品广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯)、工业设备(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器及可再生能源系统)等领域。例如,在焊接应用中,本产品可以显著降低焊接过程中的能源消耗,提高效率。
    使用建议:
    1. 在使用过程中,确保栅极-源极电压(VGS)不超过±30V,以避免损坏。
    2. 在高电流应用中,考虑使用散热片或散热板来优化热管理。

    兼容性和支持


    本产品与大多数标准电子元件兼容,可以在广泛的电路设计中使用。制造商提供了详细的技术支持文档和客户服务,用户可通过公司官网或服务热线获得进一步帮助。此外,制造商还提供软件工具和支持资源,帮助用户进行电路设计和故障排除。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开启延迟时间过长
    - 解决方案:检查栅极电阻设置,确保栅极电阻阻值合理。
    2. 问题:导通电阻不稳定
    - 解决方案:确认工作环境温度在规范范围内,同时检查焊接质量和连接稳定性。
    3. 问题:关断延迟时间较长
    - 解决方案:检查栅极电阻值是否过大,调整栅极驱动信号强度。

    总结和推荐


    综合来看,本产品VBE165R12S具有卓越的性能和可靠的操作特性,适用于多种电力电子应用场景。其极低的导通电阻、快速开关能力和宽泛的工作温度范围使其成为高性能应用的理想选择。对于寻求高效能、高可靠性的设计工程师来说,这是一款值得推荐的产品。

VBE165R12S参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 12A
Rds(On)-漏源导通电阻 340mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE165R12S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE165R12S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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VBE165R12S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.0235
100+ ¥ 4.6514
500+ ¥ 4.2793
2500+ ¥ 4.0932
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起订量: 10 增量: 2500
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