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VBMB17R18S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,700V,18A,RDS(ON),0.260Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO220F
供应商型号: VBMB17R18S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB17R18S

VBMB17R18S概述


    产品简介


    N-Channel 700V Super Junction Power MOSFET
    本产品是一种N沟道700V耐压的超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及其他需要高效能、低损耗的应用场景中。该产品凭借其卓越的电气特性和高可靠性,在多个行业中得到广泛应用。

    技术参数


    - 耐压:漏源电压(VDS)最大值为700V
    - 阈值电压:栅源阈值电压(VGS(th))范围为2.5V至4.5V
    - 导通电阻:在25°C时,栅源电压(VGS)为10V时,导通电阻(RDS(on))典型值为0.260Ω
    - 输出电容:输出电容(Coss)最大值为80pF
    - 总栅极电荷:总栅极电荷(Qg)最大值为3nC
    - 工作温度范围:工作结温及存储温度范围为-55°C至+150°C
    - 反向恢复时间:反向恢复时间(trr)最大值为475ns

    产品特点和优势


    该产品具有以下几个独特的优势:
    - 低图形单位损耗:低阻值(Ron)乘以低栅极电荷(Qg),使得该产品具备优秀的开关性能,有效减少开关和导通损耗。
    - 超低输入电容:具有超低的输入电容(Ciss),可以实现快速响应,提升整体效率。
    - 增强散热性能:最大功耗为115W,热阻参数低,能够确保在高温环境下稳定工作。
    - 出色的抗雪崩能力:单脉冲雪崩能量(EAS)达到700mJ,能够有效处理瞬态过压情况,保护电路免受损害。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET适用于多种应用场景,包括但不限于:
    - 服务器和电信电源系统:适合用于高可靠性的电源管理需求。
    - 照明设备:如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器,能够提供稳定的电流和电压。
    - 工业控制:例如电机驱动和其他高负载场合,能够提供可靠的电力转换和控制。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应注意该产品的工作环境温度范围,确保不会超过最高允许的结温。
    - 对于高频率应用,应注意考虑该产品的栅极电荷和反向恢复时间,选择合适的驱动电路以减少额外损耗。
    - 在测试过程中,应根据制造商提供的测试条件设置适当的驱动电压和电流,避免过度应力。

    兼容性和支持


    该产品与主流的MOSFET驱动器兼容,适用于多种电路设计。厂商提供详细的技术支持和售后服务,包括产品数据表、应用指南和样本芯片等资料,以帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,技术支持团队还能够为用户提供定制化的设计咨询和技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题:设备出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热片安装是否稳固,确认电路中没有过载情况发生。

    - 问题:电路无法正常启动。
    - 解决方案:检查栅极驱动电路是否正确配置,确保电压和电流处于正常范围内。

    总结和推荐


    VBMB17R18S N-Channel 700V Super Junction Power MOSFET是一款高性能、高可靠性的MOSFET产品,适用于各种严苛的工作环境。凭借其卓越的性能和广泛的适用性,它在服务器电源、电信设备、工业控制系统等多个领域中都表现出色。综上所述,强烈推荐这款产品给那些需要高性能电力转换和管理解决方案的客户。

VBMB17R18S参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 700V
Id-连续漏极电流 18A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB17R18S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB17R18S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB17R18S VBMB17R18S数据手册

VBMB17R18S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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