处理中...

首页  >  产品百科  >  VBMB18R06S

VBMB18R06S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,6A,RDS(ON),0.800Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO220F
供应商型号: 14M-VBMB18R06S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB18R06S

VBMB18R06S概述

    VBMB18R06S N-Channel 800V Super Junction Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    VBMB18R06S 是一款高性能的 N-Channel 800V 超级结型功率 MOSFET(Super Junction Power MOSFET),专为高效率电力转换应用设计。它具有低导通电阻(Ron)和低栅极电荷(Qg),使其适用于多种高功率应用场景,如服务器电源、电信电源、功率因数校正电源、照明系统及工业设备等。

    2. 技术参数


    VBMB18R06S 的主要技术参数如下:
    - 最大漏源电压(VDS): 800V
    - 栅源电压(VGS)范围: ±30V
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C): 6A
    - 脉冲漏极电流: 31.8A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 525mJ
    - 最大耗散功率(PD): 60W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 热阻抗(RthJA, RthJC): 62°C/W 和 0.7°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低图数值(Ron x Qg): 这种低图数值特性使得 VBMB18R06S 在众多应用中表现出色。
    - 低输入电容(Ciss): 有助于减少开关损耗。
    - 减少开关和导通损耗: 通过优化设计降低功耗。
    - 超低栅极电荷(Qg): 减少驱动损耗。
    - 雪崩能量额定(UIS): 确保在极端工作条件下仍能可靠运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源: 高效转换,提高系统可靠性。
    - 开关模式电源(SMPS): 减少发热,延长使用寿命。
    - 功率因数校正电源(PFC): 改善电能质量。
    - 照明: 包括 HID 和荧光灯泡,实现高效节能。
    使用建议:
    - 驱动电路设计: 选择合适的栅极电阻以控制开关速度。
    - 散热管理: 确保良好的散热设计,避免过温导致损坏。
    - 应用环境: 注意工作环境温度,确保不超过最大允许值。

    5. 兼容性和支持


    VBMB18R06S 采用标准的 TO-220FULLPAK 封装,易于集成到现有设计中。供应商提供详尽的技术支持和维护服务,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何处理过温情况?
    - A: 确保良好的散热设计,必要时添加散热片或风扇。

    - Q: 开关频率过高导致的问题?
    - A: 优化驱动电路,选择合适的栅极电阻以控制开关速度,减小寄生电容效应。

    - Q: 如何确保长期可靠性?
    - A: 遵循供应商提供的使用建议,定期检查工作环境和连接状态。

    7. 总结和推荐


    VBMB18R06S 是一款集高效能、低损耗、强可靠性于一体的 N-Channel 800V 超级结型功率 MOSFET。凭借其出色的性能参数和广泛的应用场景,它成为服务器电源、电信电源及各种高功率设备的理想选择。强烈推荐给需要高效率、高可靠性的电力转换应用。
    联系我们:
    如果您有任何疑问或需求,请随时联系我们的服务热线:400-655-8788,我们将竭诚为您服务!
    本文档由 VBsemi 提供,版权所有。

VBMB18R06S参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 6A
Rds(On)-漏源导通电阻 800mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB18R06S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB18R06S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB18R06S VBMB18R06S数据手册

VBMB18R06S封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 8.1859
10+ ¥ 7.455
30+ ¥ 7.0376
100+ ¥ 6.1979
1000+ ¥ 5.9641
3000+ ¥ 5.8471
库存: 5
起订量: 1 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 8.18
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0