处理中...

首页  >  产品百科  >  VBL165R08S

VBL165R08S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,08A,RDS(ON),0.540Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-VBL165R08S TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL165R08S

VBL165R08S概述


    产品简介


    VBL165R08S 是一款由 VBsemi 公司生产的N沟道超级结功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要应用于服务器、电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)和照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)。这款MOSFET具备出色的耐压能力和低导通电阻(RDS(on)),使其能够在高压和高电流的应用场景下稳定运行,特别适用于高效率转换电路。

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDS): 650 V
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.540 Ω (在 VGS = 10 V, TJ = 25 °C)
    - 最大连续漏极电流(ID): 8 A (在 TJ = 150 °C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 24 A
    - 最大单次脉冲雪崩能量(EAS): 880 mJ
    - 最大耗散功率(PD): 150 W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55 °C 到 +150 °C
    - 开关时间:
    - 开启延迟时间(td(on)): 18 ns
    - 上升时间(tr): 24 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)): 48 ns
    - 下降时间(tf): 25 ns

    产品特点和优势


    - 低损耗特性:具有低导通电阻(RDS(on))和低输入电容(Ciss),可显著减少开关损耗和传导损耗。
    - 超低栅极电荷(Qg):栅极电荷低,有利于提高电路的整体效率。
    - 高可靠性:经过严格的可靠性测试,能够承受高达880 mJ的单脉冲雪崩能量,适用于高压和高能应用场景。
    - 优良的热稳定性:即使在高温环境下也能保持稳定的性能表现。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电信和服务器电源:用于电信基站和数据中心的电源管理系统中,提供高效且可靠的电力转换。
    - 照明系统:适用于高强度放电灯和荧光灯,通过降低功率损耗来延长灯具寿命并提高能效。
    使用建议
    - 散热管理:由于该MOSFET在高电流和高电压下运行时会产生大量热量,因此需要良好的散热措施以确保其长期稳定工作。
    - 驱动电路设计:使用低电感的电路布局和适当的驱动信号,以减少开关过程中产生的电压和电流应力。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品采用TO-263封装,易于集成到现有的电路设计中。其工作频率和电压范围广泛,与其他电源转换电路组件具有良好兼容性。
    - 支持:VBsemi 公司为客户提供全面的技术支持和服务,包括详细的规格说明书和技术文档,确保客户能够正确地使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题
    - 问题描述:MOSFET 在运行过程中出现过热现象。
    - 解决办法:检查散热片是否安装到位,确保散热片与MOSFET紧密接触;使用大流量风扇增强散热效果。

    2. 驱动信号不稳定
    - 问题描述:驱动信号不稳导致MOSFET频繁损坏。
    - 解决办法:使用低电感的驱动电路设计,增加RC滤波电路,确保驱动信号的稳定性和质量。

    总结和推荐


    VBL165R08S是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET,具有优异的电气特性和可靠性,适合在高压和高电流的应用环境中使用。通过高效的热管理和合理的电路设计,可以充分发挥其性能优势。考虑到其广泛的适用性和高质量的技术支持,强烈推荐此产品用于各种高要求的电力转换和控制场合。

VBL165R08S参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 540mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 8A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL165R08S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL165R08S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBL165R08S VBL165R08S数据手册

VBL165R08S封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 5.5634
10+ ¥ 5.0666
30+ ¥ 4.7829
100+ ¥ 4.2122
800+ ¥ 4.0533
2400+ ¥ 3.9738
库存: 5
起订量: 1 增量: 800
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 5.56
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336