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VBMB16R12S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,12A,RDS(ON),0.330Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO220F
供应商型号: VBMB16R12S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB16R12S

VBMB16R12S概述

    # N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET 是一款适用于多种工业及电源应用的高性能功率场效应晶体管。这款产品采用先进的超结技术,具备低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(VDS),使其在各种高压应用中表现出色。
    主要功能
    - 低导通电阻(RDS(on)):适用于需要高效能转换的应用。
    - 快速开关性能:低输入电容(Ciss)和超低门极电荷(Qg)有助于减少开关损耗。
    - 坚固耐用:具备较高的单脉冲雪崩能量(EAS),能够在恶劣环境下稳定工作。
    应用领域
    - 服务器和电信电源供应系统
    - 开关模式电源供应(SMPS)
    - 功率因数校正电源供应(PFC)
    - 照明(如高亮度放电灯和荧光灯)
    - 工业控制

    技术参数


    以下是该产品的关键技术规格:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压(VDS) | 600 | V |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | 0.330 @ 25 °C | Ω |
    | 最大连续漏电流(TJ=150 °C) | 12 | A |
    | 最大门极-源极电压(VGS) | ± 30 | V |
    | 最大门极电荷(Qg) | 9 | nC |
    | 反向恢复时间(trr) | 475 | ns |
    | 反向恢复电荷(Qrr) | 5.8 | μC |

    产品特点和优势


    - 低功耗:低导通电阻(RDS(on))和超低门极电荷(Qg)显著减少了开关和传导损耗。
    - 快速开关:得益于低输入电容(Ciss),能够实现高效的开关操作。
    - 可靠性:经过优化的设计确保其在高功率应用中的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该MOSFET常用于服务器和电信电源供应系统中。例如,在一个典型的电信电源设计中,此产品被用来驱动高频率和高效能的直流-直流转换器,从而提升系统的整体效率。
    使用建议
    - 散热管理:由于具有较高的导热系数,建议使用良好的散热措施以保证MOSFET的长期稳定运行。
    - 门极驱动:使用合适的门极电阻(RG)和门极驱动电路可以有效降低开关损耗。

    兼容性和支持


    该MOSFET采用标准TO-220封装,与大多数开关电源系统兼容。制造商提供详细的技术文档和专业的技术支持,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 高温度下性能下降:如何保持高温度下的稳定性能?
    2. 过载情况下的保护:如何防止过载导致的损坏?
    解决方案
    1. 高温度下性能下降:建议使用良好的散热机制,如散热片和风扇,以保持温度在可接受范围内。
    2. 过载情况下的保护:安装外部电路来监控和限制过载情况,如设置熔断器或保险丝。

    总结和推荐


    综合评估
    该N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET 在众多应用中表现优异,尤其适用于需要高效、稳定转换的应用场合。凭借其出色的电气特性和坚固耐用的设计,该产品非常适合用于高压工业应用和电源管理系统。
    推荐使用
    基于其高效能和稳定性,强烈推荐该MOSFET用于对效率要求高的电源转换应用。无论是工业控制还是电信基础设施,它都能为用户提供可靠的解决方案。

VBMB16R12S参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 12A
Rds(On)-漏源导通电阻 330mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB16R12S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB16R12S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB16R12S VBMB16R12S数据手册

VBMB16R12S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 5.382
100+ ¥ 4.9833
500+ ¥ 4.784
1000+ ¥ 4.5846
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型号 价格(含增值税)
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