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VBE17R11S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO252;N—Channel沟道,700V;11A;RDS(ON)=450mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: VBE17R11S TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE17R11S

VBE17R11S概述


    产品简介


    IPD65R420CFD是一款N沟道700V超级结功率MOSFET,适用于多种高效率电力转换和驱动应用。该产品主要用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器照明。凭借其低栅极电荷和低输入电容等特性,该产品能够在高频和高效率操作中表现出色。

    技术参数


    - 额定电压:700V(在最大结温时)
    - 最大栅源电压:±30V
    - 连续漏极电流:在10V栅源电压下,TC=25°C时为11A;TC=100°C时为8A
    - 脉冲漏极电流:28A
    - 单次脉冲雪崩能量:226mJ
    - 最大耗散功率:156W
    - 结温及存储温度范围:-55°C至+150°C
    - 最大热阻:RthJA为62°C/W,RthJC为0.8°C/W

    产品特点和优势


    - 低损耗:低电阻和低栅极电荷有助于减少开关和传导损失。
    - 高可靠性:通过重复脉冲测试验证,能够承受高达226mJ的单次脉冲雪崩能量。
    - 快速恢复时间:反向恢复时间和反向恢复电流均较低,适合高频应用。
    - 高效能:低栅极电荷和低输入电容提高了工作效率和频率响应能力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IPD65R420CFD广泛应用于多种高效率电力转换系统中,如数据中心的服务器电源、工业控制系统的开关电源、以及各种照明系统(例如HID灯和荧光灯)。这些应用对电源转换效率和响应速度要求极高,IPD65R420CFD能够满足这些需求。
    使用建议
    为了充分发挥IPD65R420CFD的优势,建议遵循以下几点:
    - 在高频开关应用中使用,以充分利用其低栅极电荷和低输入电容的优点。
    - 确保电路设计中具备良好的散热措施,以避免过热影响性能。
    - 选择合适的驱动器来确保快速的开关速度和减少寄生电感。

    兼容性和支持


    IPD65R420CFD采用TO-251和TO-252封装形式,具有较好的通用性,易于集成到不同电路设计中。VBsemi公司提供了全面的技术支持,包括详细的应用指南和快速响应的技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 确认散热片安装正确,增加散热面积或使用更高效的散热材料。|
    | 开关噪声大 | 检查电路布局,尽量减小杂散电感,提高接地平面的完整性。|
    | 漏电流过大 | 检查是否有外部干扰或短路情况,重新校准驱动信号的强度和波形。|

    总结和推荐


    IPD65R420CFD作为一款高性能的N沟道超级结MOSFET,在高效率电力转换系统中表现出色,尤其适用于服务器电源和工业控制系统。其低损耗、高可靠性以及快速恢复时间的特点使其成为众多应用的理想选择。鉴于其卓越的性能和广泛的适用性,强烈推荐在各类高效率电力转换系统中使用该产品。

VBE17R11S参数

参数
Id-连续漏极电流 11A
Vds-漏源极击穿电压 700V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 450mΩ@ 10V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE17R11S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE17R11S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBE17R11S VBE17R11S数据手册

VBE17R11S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.202
100+ ¥ 4.8167
500+ ¥ 4.4314
2500+ ¥ 4.2387
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型号 价格(含增值税)
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