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VBFB165R08S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,8A,RDS(ON),0.550Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO251
供应商型号: 14M-VBFB165R08S TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBFB165R08S

VBFB165R08S概述

    VBFB165R08S N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBFB165R08S 是一款高性能的N通道650V超级结功率MOSFET,专为高效率电源转换设计。该产品广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及各类照明系统,包括高强度放电(HID)灯和荧光灯管。此外,它还适用于工业领域的焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器及可再生能源领域,例如太阳能光伏逆变器。

    技术参数


    以下是VBFB165R08S的主要技术参数:
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 650V
    - 最大连续漏电流 \( ID \): 8A (在100°C时)
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): 24A
    - 最大单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 185mJ
    - 最大耗散功率 \( PD \): 128W
    - 热阻至空气 \( R{thJA} \): 62°C/W
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0V 至 4.0V
    - 通态电阻 \( R{DS(on)} \): 0.550Ω(在25°C和10V条件下)
    - 输入电容 \( C{iss} \): 2600pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 81pF
    - 有效输出电容(时间相关)\( Co(t) \): 296pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 40nC 至 122nC
    - 栅极-源极电荷 \( Q{gs} \): 16nC
    - 关断延时时间 \( td(off) \): 71ns 至 142ns

    产品特点和优势


    VBFB165R08S具备以下显著优势:
    - 低优值系数(FOM) \( R{on} \times Qg \)
    - 低输入电容 \( C{iss} \),有助于降低开关损耗
    - 低开关和导通损耗,实现高效的能量转换
    - 超低栅极电荷 \( Qg \),减少驱动损耗
    - 雪崩能量额定值 \( UIS \),提升可靠性

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:确保系统的稳定性和高效率。
    - 照明:在高强度放电(HID)和荧光灯管中提供高效能的电能转换。
    - 工业应用:如焊接、感应加热、电机驱动等,确保可靠且高效的电能管理。
    使用建议:
    - 在高频率开关应用中,选择合适的驱动电路以充分利用其低开关损耗特性。
    - 在极端温度环境下,需注意热管理以确保稳定运行。

    兼容性和支持


    VBFB165R08S 支持多种工业标准接口,与其他常见的电源转换模块具有良好的兼容性。制造商提供了详尽的技术文档和支持,以确保客户能够顺利地进行产品集成和应用开发。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关损耗过高。
    - 解决方案: 检查驱动电路的配置,确保其匹配VBFB165R08S的栅极电荷要求。
    2. 问题: 温度过高导致故障。
    - 解决方案: 加强散热措施,确保器件工作在推荐的温度范围内。
    3. 问题: 启动时电压不稳定。
    - 解决方案: 使用稳压电路确保启动时的电压稳定。

    总结和推荐


    综上所述,VBFB165R08S凭借其低开关损耗、低输入电容和高可靠性等特点,在多个关键应用领域表现卓越。对于追求高效、稳定的电源转换解决方案的工程师来说,这款产品是一个非常不错的选择。强烈推荐使用VBFB165R08S来满足各种高要求的应用需求。

VBFB165R08S参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 550mΩ@ 10V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 8A
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBFB165R08S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBFB165R08S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBFB165R08S VBFB165R08S数据手册

VBFB165R08S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.7072
10+ ¥ 4.287
30+ ¥ 4.0469
100+ ¥ 3.564
4000+ ¥ 3.4295
12000+ ¥ 3.3623
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