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VBMB18R07S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,7A,RDS(ON),850mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装:TO220F
供应商型号: 14M-VBMB18R07S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB18R07S

VBMB18R07S概述

    VBMB18R07S N-Channel 800V Super Junction Power MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    VBMB18R07S 是一款适用于多种高功率应用的 N-Channel 800V 超级结(Super Junction)功率 MOSFET。这款 MOSFET 的主要特点是低损耗、快速开关能力和高可靠性。它广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应器以及照明系统,如高强度放电灯(HID)和荧光灯球形灯具。此外,它也适合用于工业设备中。

    2. 技术参数


    - 最高电压(VDS): 800V
    - 最大漏源电流(ID): 7A (在 TC = 100°C 时)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 21A
    - 最大功耗(PD): 305W
    - 静态漏源击穿电压(VDS): 800V
    - 阈值电压(VGS(th)): 2.5V 至 4.5V
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.770Ω (在 VGS = 10V, ID = 2.5A 时)
    - 输入电容(Ciss): 2600pF
    - 输出电容(Coss): 80pF
    - 总栅极电荷(Qg): 8.3nC (在 VGS = 10V, ID = 5A, VDS = 520V 时)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on)): 这使得器件具有更低的传导损耗,提高整体能效。
    - 低输入电容(Ciss): 这有助于减少栅极驱动电路所需的能量,从而降低开关损耗。
    - 超低栅极电荷(Qg): 这显著降低了开关过程中的能量损失。
    - avalanche 能量评级(UIS): 确保了器件在过压情况下能够可靠地运作。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应系统: 这种 MOSFET 适用于需要高效能、低损耗的场合。
    - 开关模式电源(SMPS): 具备快速开关特性的 MOSFET 可以显著提高电源效率。
    - 功率因数校正(PFC): 由于具备低栅极电荷特性,这种 MOSFET 可以有效减小 PFC 模块的体积和成本。
    使用建议:
    - 在进行开关操作时,确保适当的散热设计以避免温度过高导致的器件损坏。
    - 为防止反向恢复现象,可以采用缓冲电路。

    5. 兼容性和支持


    VBMB18R07S 与大多数标准电子设备兼容,特别是那些需要高耐压和高电流的应用。制造商提供了详细的技术支持文档和客户支持热线,确保用户能够获得最佳使用体验和技术指导。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中出现振铃现象。
    - 解决方案: 使用合适的栅极电阻来抑制振铃现象。
    - 问题: 器件过热。
    - 解决方案: 加强散热措施,如增加散热片或使用水冷系统。

    7. 总结和推荐


    综上所述,VBMB18R07S N-Channel 800V 超级结功率 MOSFET 是一种高性能、低损耗的产品,适用于高功率、高效率的应用场合。其独特的优势和强大的支持系统使其成为市场上极具竞争力的选择。我们强烈推荐此款 MOSFET 用于需要高效能和稳定运行的场合。
    联系方式:
    服务热线: 400-655-8788
    官网: www.VBsemi.com

VBMB18R07S参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 850mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 7A
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB18R07S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB18R07S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB18R07S VBMB18R07S数据手册

VBMB18R07S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 8.1859
10+ ¥ 7.455
30+ ¥ 7.0376
100+ ¥ 6.1979
1000+ ¥ 5.9641
3000+ ¥ 5.8471
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