处理中...

首页  >  产品百科  >  VBM18R06S

VBM18R06S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,6A,RDS(ON),0.800Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO220
供应商型号: VBM18R06S TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM18R06S

VBM18R06S概述

    N-Channel 800V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 800V (D-S) Super Junction Power MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),特别适用于高压直流到交流转换的应用。其主要功能包括高效的开关能力和低导通电阻,使其在多种工业和消费电子领域表现出色。具体应用领域涵盖服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯)。

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDS): 800V
    - 最大栅源电压(VGS): ±30V
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C): 6A
    - 脉冲漏极电流(1.18 ms脉宽): 3.5A
    - 最大功率耗散(TJ = 25°C): 140W
    - 最大结到环境热阻(RthJA): 62°C/W
    - 有效输出电容(Coss): 80pF
    - 总栅极电荷(Qg): 9nC
    - 反向恢复时间(trr): 475ns
    - 栅极输入电阻(Rg): 0.8Ω

    产品特点和优势


    该产品具有以下独特功能和优势:
    - 低通态电阻(Ron) 和 低栅极电荷(Qg):显著降低了开关损耗。
    - 低输入电容(Ciss):提高了电路的效率。
    - 减少的开关和传导损失:使得整体效率更高。
    - 高重复性雪崩能量额定值(UIS):增强了产品的可靠性。
    这些特性使得该产品在市场上具备较高的竞争力,特别是在需要高效率和高可靠性的应用环境中。

    应用案例和使用建议


    根据手册中的信息,该产品广泛应用于:
    - 服务器和电信电源供应系统:高效地管理高功率需求。
    - 开关模式电源供应器(SMPS):实现快速开关和低损耗。
    - 照明系统:适合高强度放电灯(HID)和荧光灯的驱动。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,确保散热良好以防止过热。
    - 选择合适的栅极电阻以优化开关时间和效率。

    兼容性和支持


    该产品与其他常见的电源管理模块兼容。VBsemi公司提供了全面的技术支持,包括详细的安装指南和售后支持服务。此外,还提供了详尽的产品数据表和技术手册,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品发热过多。
    - 解决方法:检查散热设计是否合理,增加散热片或改进散热路径。
    - 问题:导通电阻增大。
    - 解决方法:确认工作温度在规范范围内,适当降低工作频率以减少热应力。
    - 问题:反向恢复时间过长。
    - 解决方法:检查电路设计是否有优化空间,考虑增加外部电路来减小反向恢复时间。

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 800V Super Junction Power MOSFET 在高压应用中表现卓越,具有低导通电阻、低栅极电荷、高效能等优点,非常适合服务器、电信电源供应系统、照明等领域。因此,强烈推荐该产品用于相关应用场景。
    如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

VBM18R06S参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 800mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 800V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 6A
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

VBM18R06S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM18R06S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBM18R06S VBM18R06S数据手册

VBM18R06S封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 6.279
100+ ¥ 5.8139
500+ ¥ 5.5813
1000+ ¥ 5.3487
库存: 30000
起订量: 5 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 31.39
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336