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VBMB165R34S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,34A,RDS(ON),0.080Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO220F
供应商型号: VBMB165R34S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB165R34S

VBMB165R34S概述

    # N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET With Fast Diode

    产品简介


    N-Channel 650V(D-S)超级结功率MOSFET是一款专为高效能和高可靠性设计的产品。它具备出色的开关特性和低导通电阻,特别适用于各种电源管理和照明系统。这款MOSFET以其超快体二极管和低门极电荷(Qg)而闻名,在服务器、通信电源、功率因数校正(PFC)电源和工业设备中得到广泛应用。它尤其适用于高亮度放电(HID)和荧光灯整流器照明系统。

    技术参数


    以下是该产品的主要技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (D-S) | VDS | - | 650 | - | V |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 650 | - | - | V |
    | 漏源导通电阻 (Ron) | RDS(on) | - | 0.080 | - | Ω |
    | 零门电压漏电流 | IDSS | - | - | 100 | μA |
    | 峰值漏极电流 | IDM | - | 20 | 100 | A |
    | 反向恢复时间 | trr | - | 475 | - | ns |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | - | 5.8 | - | μC |

    产品特点和优势


    1. 低开关损耗和导通损耗:由于其极低的门极电荷(Qg)和快速体二极管,这款MOSFET在开关过程中产生的能量损失显著减少。
    2. 超快体二极管:体二极管的快速恢复特性使其适用于高频开关应用,降低了整体系统的能量消耗。
    3. 超低门极电荷:这使得驱动该MOSFET所需的能量更少,从而提高了整个电路的效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器和通信电源:适用于需要高效率和高可靠性的数据中心电源系统。
    2. 开关模式电源(SMPS):在笔记本电脑、手机充电器等设备中广泛应用。
    3. 工业设备:用于工业自动化控制和机器设备中的电源转换模块。
    使用建议
    1. 散热管理:考虑到其最大功耗(PD)为42W,必须采取有效的散热措施以确保长期稳定运行。
    2. 负载测试:在实际应用前,建议进行负载测试以验证其在特定条件下的性能。

    兼容性和支持


    该产品与其他标准的电源管理集成电路(IC)和相关组件具有良好的兼容性,方便集成到现有的电路设计中。制造商提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利集成并使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确保MOSFET的安全运行?
    - 答:遵循绝对最大额定值(如最大门极-源极电压VGS = ±30V),确保不会超过MOSFET的最大允许工作条件。

    2. 问:如何优化MOSFET的热性能?
    - 答:采用合适的散热器并确保良好的热接触,降低温度对MOSFET性能的影响。

    总结和推荐


    综合评估
    这款N-Channel 650V超级结功率MOSFET具备出色的电气性能和高效的开关特性,特别适合于高效率电源管理和照明系统。其低导通电阻、低开关损耗和快速恢复特性使其在市场上具有显著的竞争优势。
    推荐使用
    强烈推荐给寻求高性能、高效率和高可靠性的电源管理系统的工程师和技术人员。通过合理的设计和正确的应用,该产品将极大提升整个系统的性能和稳定性。

VBMB165R34S参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 34A
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB165R34S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB165R34S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB165R34S VBMB165R34S数据手册

VBMB165R34S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 19.3754
100+ ¥ 17.9402
500+ ¥ 16.505
1000+ ¥ 15.7873
库存: 30000
起订量: 5 增量: 1000
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