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VBP16R32S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,32A,RDS(ON),0.085Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247
供应商型号: VBP16R32S TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBP16R32S

VBP16R32S概述


    产品简介


    N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET
    这种N沟道超级结功率MOSFET(VBP16R32S)是一款高性能的电子元器件,主要用于高效率的电力转换应用。它具备低导通电阻和低开关损耗的特点,广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源系统,以及各种照明系统(如高强度放电灯和荧光灯球)。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 600V
    - 最大连续漏极电流(TJ = 150°C): ID = 32A
    - 漏源导通电阻(RDS(on)): 0.085Ω (VGS = 10V)
    - 最大脉冲漏极电流(IMD): 20A (1.96 ms)
    - 重复性单脉冲雪崩能量(EAS): 920mJ
    - 最大功率耗散(PD): 510W
    - 最高工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 热阻(RthJA): 62°C/W
    - 输入电容(Ciss): 3400pF (VGS = 0V, VDS = 100V, f = 1MHz)
    - 输出电容(Coss): 330pF
    - 有效输出电容(Co(er)): 63pF (VDS = 0V 到 520V, VGS = 0V)
    - 总栅极电荷(Qg): 410nC (VGS = 10V, ID = 20A, VDS = 520V)

    产品特点和优势


    该产品具备以下独特功能和优势:
    - 低功耗: 低栅极电荷(Qg)和低输入电容(Ciss)确保了开关损耗和传导损耗的最小化。
    - 高可靠性: 额定的单脉冲雪崩能量(EAS)高达920mJ,能够在高压环境下保持稳定性。
    - 高效率: 低导通电阻(RDS(on))降低了功耗,提升了整体系统的能效。
    - 高频率操作: 高速开关能力使其适用于高频应用场合。

    应用案例和使用建议


    该产品特别适用于高效率的电力转换应用,如服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电源系统。对于照明系统,比如高强度放电灯(HID)和荧光灯球,也能提供高效能和稳定性的支持。
    使用建议:
    1. 冷却设计: 在高功率运行时,需要确保良好的散热设计以维持设备的正常工作温度。
    2. 驱动电路: 建议采用合适的驱动电路以避免栅极过压和过流现象。
    3. 保护措施: 针对过压、过流等异常情况,建议增加相应的保护措施以确保设备安全运行。

    兼容性和支持


    该产品与标准的电源管理系统兼容,并且厂商提供了详尽的技术支持和服务。您可以联系400-655-8788获取更多关于产品的技术支持和售后服务信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备启动时出现不稳定现象。
    - 解决办法: 检查电源电路设计,确保驱动信号稳定无误;同时检查散热系统是否正常工作。
    2. 问题: 运行过程中发热严重。
    - 解决办法: 优化散热设计,确保良好的空气流通;必要时可考虑外置散热器辅助散热。
    3. 问题: 设备在高负载下表现不佳。
    - 解决办法: 检查系统电压和电流是否在产品额定范围内,并进行必要的调整。

    总结和推荐


    VBP16R32S N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET 是一款性能卓越、适用广泛的电子元器件。它在高效率电力转换应用方面表现出色,适用于多种工业和商业应用场景。通过合理的使用和维护,能够显著提升系统整体性能并延长使用寿命。因此,我们强烈推荐此产品用于需要高效率和稳定性的电力系统设计中。

VBP16R32S参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 32A
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBP16R32S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBP16R32S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBP16R32S VBP16R32S数据手册

VBP16R32S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 17.9402
500+ ¥ 16.505
900+ ¥ 15.7873
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