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VBP165R41S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,41A,RDS(ON),0.062Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247
供应商型号: VBP165R41S TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBP165R41S

VBP165R41S概述


    产品简介


    本产品为一款N沟道650V超级结功率MOSFET(N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET),具有出色的低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(VDS)性能。这种MOSFET广泛应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明系统(包括高强度放电灯HID和荧光灯镇流器)以及工业领域。这些应用需要具备高效率、低损耗和可靠的电力转换能力。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 650 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±30 V
    - 连续漏电流 (TJ = 150°C): 41 A
    - 脉冲漏电流: 25 A
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS): 1420 mJ
    - 最大耗散功率 (PD): 290 W
    - 结至环境热阻 (RthJA): 62 °C/W
    - 结至壳热阻 (RthJC): 0.57 °C/W
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.062 Ω (VGS = 10 V, ID = 13.5 A)
    - 输入电容 (Ciss): 4400 pF (VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 80 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 4 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 6~8 nC (VGS = 10 V, ID = 8 A, VDS = 520 V)
    - 开关时间:
    - 导通延迟时间 (td(on)): 18 ns (VDD = 520 V, ID = 8 A, VGS = 10 V, Rg = 9.1 Ω)
    - 开启时间上升时间 (tr): 24 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 80 ns
    - 关闭时间下降时间 (tf): 12 ns
    - 门级驱动电阻 (Rg): 0.8 Ω (f = 1 MHz)

    产品特点和优势


    这款MOSFET具有低损耗和高能效的特点。其突出特点是低的导通电阻 (RDS(on)) 和栅极电荷 (Qg),这使得它在高频率应用中能够实现高效且快速的开关操作。同时,它的超快体二极管有助于减少切换过程中的损耗。该器件的额定雪崩能量 (UIS) 和高脉冲电流处理能力使其适用于恶劣的工作环境。总体而言,这款MOSFET在提升整体系统效率和可靠性方面表现出色,非常适合在严苛的应用环境中使用。

    应用案例和使用建议


    此MOSFET广泛应用于服务器和电信电源系统,开关模式电源(SMPS)和功率因数校正电源(PFC)。在这些应用中,MOSFET需承受高频、高压和大电流的挑战,因此需要一个具备高可靠性的组件。对于服务器电源系统来说,选择合适的栅极驱动电阻 (Rg) 至关重要,可以避免过高的导通延迟时间 (td(on)) 和关断延迟时间 (td(off))。对于SMPS,可以通过优化电感 (L) 和电阻 (Rg) 来减少开关损耗。在照明系统中,由于电流波动较大,需要注意保持稳定的电压水平以保证灯具的正常运行。

    兼容性和支持


    该产品采用了TO-247封装,与多种标准电路板设计兼容。制造商提供了全面的技术支持,包括详细的安装指南、数据表和应用程序笔记,以帮助客户进行有效的产品选型和集成。此外,制造商还提供了一定期限内的质量保证和故障保修服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现过压现象 | 调整栅极驱动电阻 (Rg),以减少开关延迟时间和关断延迟时间。 |
    | 导通电阻过大 | 确保工作温度在推荐范围内,避免过热导致的电阻增加。 |
    | 开关时间不稳定 | 检查电路板的布局,确保足够的接地和去耦电容,减少噪声干扰。 |

    总结和推荐


    这款N沟道650V超级结功率MOSFET是一款高性能的电子元器件,适用于需要高效率、低损耗和高可靠性的应用场景。它具备出色的耐压能力、低导通电阻和高效的开关性能。推荐在各种高功率、高频应用中使用,例如服务器电源系统、开关模式电源和工业控制等领域。在选择和使用过程中,应注意遵循制造商的指导,合理设置驱动电阻并注意散热问题。

VBP165R41S参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 62mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 41A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBP165R41S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBP165R41S数据手册

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VBP165R41S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 24.9165
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900+ ¥ 21.9265
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