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VBMB15R24S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: VBMB15R24S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB15R24S

VBMB15R24S概述

    N-Channel 500V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 500V Super Junction Power MOSFET 是一款高性能功率场效应晶体管(Power MOSFET),适用于多种高功率应用。该器件具备低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),能够显著减少开关损耗和传导损耗。它广泛应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯管)等领域。

    技术参数


    以下是该N-Channel 500V Super Junction Power MOSFET 的关键技术规格:
    - 最大漏源电压(VDS):500V
    - 最大栅源电压(VGS):±30V
    - 漏极连续电流(TJ = 150°C):24A (VGS = 10V),在100°C时为15A
    - 脉冲漏极电流(ISM):72A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):960mJ
    - 最大功耗(PD):165W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 漏源电容(Coss):80pF
    - 输出电容(Co(er)):63pF
    - 总栅极电荷(Qg):4nC(VGS = 10V)

    产品特点和优势


    这款N-Channel 500V Super Junction Power MOSFET 具有以下独特功能和优势:
    - 低栅极电荷(Qg):降低驱动电路所需的能量,提高系统效率。
    - 低输入电容(Ciss):减小门极驱动损耗,提高开关速度。
    - 减少的开关和传导损耗:通过低RDS(on)和Qg,显著提升系统的能效。
    - 重复额定值:脉冲宽度受限于最大结温。
    - 抗雪崩能力:提供雪崩能量(EAS)评级,确保在高应力条件下可靠运行。
    这些特点使得该器件在高功率转换应用中表现出色,特别是在服务器电源、电信设备和工业控制领域具有明显的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    根据手册中的应用示例,该器件可以用于以下具体应用:
    - 服务器和电信电源系统:用于电源模块的高效率转换。
    - 开关模式电源(SMPS):提高效率和可靠性。
    - 高功率照明:适合高强度放电灯(HID)和荧光灯管。
    - 工业设备:广泛应用于各种工业自动化设备。
    使用建议:
    - 在选择栅极驱动电阻(Rg)时,应根据具体应用需求进行匹配,以确保最优的开关性能。
    - 针对高功率应用,应注意散热设计,以避免过热。
    - 在恶劣环境下使用时,确保器件的工作温度在允许范围内,防止损坏。

    兼容性和支持


    该器件采用TO-220封装,便于安装和集成。厂商提供了详细的技术支持文档和服务热线(400-655-8788),帮助用户解决技术问题并获得及时的维护支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中出现过压现象。
    解决方案: 确认正确的栅极驱动电压和电阻,适当增加外部钳位电路,如齐纳二极管,保护器件免受过电压影响。
    - 问题: 温度过高导致器件损坏。
    解决方案: 改善散热措施,例如增加散热片或使用散热胶。
    - 问题: 高频应用下出现振荡。
    解决方案: 在栅极引脚处增加退耦电容,降低高频干扰。

    总结和推荐


    总体来看,这款N-Channel 500V Super Junction Power MOSFET 在技术参数和应用范围上都表现出色。其低导通电阻、低栅极电荷和抗雪崩能力使其成为高效率、高可靠性应用的理想选择。此外,制造商提供的全面技术支持也增加了其在市场上的竞争力。因此,对于需要高性能功率转换的应用场景,强烈推荐使用此款器件。

VBMB15R24S参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 20A
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB15R24S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB15R24S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB15R24S VBMB15R24S数据手册

VBMB15R24S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
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