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VBP1103

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,320A,RDS(ON),0.002Ω@10V,20Vgs(±V);TO247
供应商型号: 14M-AOD5B65MQ1E-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBP1103

VBP1103概述

    VBP1103 N-Channel 100V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VBP1103 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel 100V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品采用 TrenchFET® Power 技术,具备低热阻的封装特性,适用于多种电源管理应用。它主要用于开关电源、逆变器和其他需要高效率和可靠性的电力转换设备。

    2. 技术参数


    VBP1103 的技术参数如下:
    - 额定电压 (VDS):100V
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 VGS=10V 时,RDS(on)=0.002Ω
    - 连续漏极电流 (ID):320A
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS):100V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (TC=25°C):320A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):1220A
    - 最大单脉冲雪崩电流 (IAS):123A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):366mJ
    - 最大功率耗散 (TC=25°C):650W
    - 最大结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 到 +175°C

    3. 产品特点和优势


    VBP1103 的主要优势在于其高效的电流处理能力和较低的导通电阻。以下是该产品的独特功能:
    - 低热阻:确保在高功率应用中的可靠性和长寿命。
    - 高击穿电压:确保在高压环境下稳定运行。
    - 高速开关能力:适用于高频电路设计。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保每个产品都经过严格的质量检测,以保证一致性和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    VBP1103 广泛应用于多种电力转换设备中,如开关电源、电机驱动器和逆变器。为了最大化其性能,建议在使用过程中遵循以下几点:
    - 散热管理:由于其较高的功率耗散能力,需要良好的散热设计来避免过热。
    - 电路布局:在电路板设计时,尽量减小栅极到漏极的距离,以减少寄生电感的影响。
    - 输入和输出滤波:使用适当的输入和输出滤波器,可以进一步提高系统稳定性。

    5. 兼容性和支持


    VBP1103 与其他标准的 N-Channel MOSFET 设备兼容,可以轻松集成到现有的电路设计中。VBsemi 提供详尽的技术支持,包括样品请求、设计咨询和技术文档,以帮助用户更好地理解和应用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    在使用 VBP1103 时,用户可能会遇到以下问题及其解决方案:
    - 问题:设备发热严重。
    - 解决方案:检查散热系统的设计是否合理,确保良好的散热效果。
    - 问题:开关频率不稳定。
    - 解决方案:检查电路布局和滤波器设计,确保寄生电感最小化。
    - 问题:输出不稳定。
    - 解决方案:检查负载匹配情况,确保负载条件在设备的工作范围内。

    7. 总结和推荐


    VBP1103 是一款高性能的 N-Channel 100V MOSFET,特别适合需要高效率和可靠性的应用场合。其低热阻、高击穿电压和快速开关特性使其在众多电力转换设备中表现出色。强烈推荐给需要在苛刻环境中保持高效和稳定的系统设计者。
    如果您对 VBP1103 有任何疑问或需求,请联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

VBP1103参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 320A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@ 10V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBP1103厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBP1103数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBP1103 VBP1103数据手册

VBP1103封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 15.1437
30+ ¥ 14.2956
100+ ¥ 12.5901
300+ ¥ 12.115
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