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VBP165R34S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,34A,RDS(ON),0.080Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247
供应商型号: VBP165R34S TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBP165R34S

VBP165R34S概述

    # N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),适用于各种电力电子应用。它具备低导通电阻(Ron)、超快速体二极管和低栅极电荷(Qg)等特点。这种类型的 MOSFET 主要应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明等领域,包括高亮度放电灯(HID)和荧光灯镇流器。此外,它们还广泛用于工业领域,特别是在需要高可靠性和高效能的环境中。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和规格参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDS) | 650 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.080 | Ω |
    | 漏极连续电流(ID) | 34 | A |
    | 最大脉冲漏极电流(IDM) | 90 | A |
    | 最大功耗(PD) | 220 | W |
    | 最大结温(TJ,max) | 150 | °C |
    | 极限结到环境热阻(RthJA) | -62 | °C/W |
    | 极限结到外壳热阻(RthJC) | -0.57 | °C/W |
    | 输入电容(Ciss) | 3600 | pF |
    | 输出电容(Coss) | 80 | pF |
    | 门极电荷(Qg) | 54 | nC |
    | 门极到源极电荷(Qgs) | 15 | nC |
    | 门极到漏极电荷(Qgd) | 19 | nC |

    产品特点和优势


    该 N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET 具备以下几个显著的优势:
    - 低导通电阻:RDS(on) 仅为 0.080Ω,在 VGS=10V 条件下提供了极低的导通电阻,从而大幅降低能耗。
    - 超快速体二极管:能够实现极短的反向恢复时间和低反向恢复电荷,从而减少开关损耗。
    - 低栅极电荷:Qg 仅为 54nC,大大减少了开关时间,提高了系统效率。
    - 优异的散热性能:具有较低的热阻(RthJC 和 RthJA),能够更有效地散去热量,提高可靠性。
    - 卓越的电气性能:能够在高电压(高达 650V)和高电流环境下稳定工作,同时保持优异的电气性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该 MOSFET 在多种电力电子应用中表现出色,例如:
    - 服务器和电信电源:在这些应用中,需要高效且稳定的电源供应,该 MOSFET 可以显著提升系统的整体效率。
    - 照明系统:在 HID 和荧光灯镇流器中,该 MOSFET 的高速开关特性可以有效减少损耗,提高灯具的使用寿命。
    - 工业应用:如电机驱动和自动化控制设备,能够提供可靠的电力转换和控制功能。
    使用建议
    - 电路设计:为了充分发挥该 MOSFET 的优势,在设计时应确保良好的散热措施,如使用散热片或散热板。
    - 保护电路:在高电压应用中,考虑添加过压保护电路,以避免损坏 MOSFET。
    - 合理布局:在 PCB 布局时,应尽量缩短 MOSFET 的引脚走线,减少寄生电感和电阻,提高系统的整体性能。

    兼容性和支持


    该 MOSFET 采用 TO-247 封装,易于安装和焊接,适用于多种电路设计。此外,制造商提供了详尽的技术文档和支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。如果需要更多技术支持或定制需求,用户可联系官方服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET 温度过高
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热片或散热板,确保良好的热管理。

    - 问题:导通电阻偏高
    - 解决方案:确认工作温度是否在正常范围内,检查 VGS 是否达到最小值,调整 VGS 以降低 RDS(on)。

    - 问题:高频应用中性能下降
    - 解决方案:考虑使用合适的驱动电路,优化栅极电阻值,以减少寄生效应并提高高频响应能力。

    总结和推荐


    总体而言,N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET 是一款高效、可靠且多功能的功率器件,特别适合于电力电子领域中的各种应用场景。凭借其低导通电阻、超快速体二极管和低栅极电荷等特性,它在高效率和高可靠性方面具有显著优势。因此,强烈推荐在需要高性能电力转换和控制的应用中使用此款 MOSFET。对于需要进一步了解或技术支持的用户,可通过官方服务热线获取更多帮助。

VBP165R34S参数

参数
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 34A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBP165R34S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBP165R34S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBP165R34S VBP165R34S数据手册

VBP165R34S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 20.4318
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900+ ¥ 17.98
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