处理中...

首页  >  产品百科  >  VBE18R05S

VBE18R05S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,5A,RDS(ON),1300mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-VBE18R05S
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE18R05S

VBE18R05S概述

    N-Channel 800V (D-S) Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    本产品是一款高性能N沟道超级结功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),型号为VBM18R05S / VBMB18R05S。这类MOSFET因其极低的导通电阻和出色的动态开关特性而广泛应用于各种电力电子设备中,如逆变器、直流到直流转换器、电机驱动器等。其主要功能包括高效率能量转换、快速开关能力和易于并联操作,适用于多种高功率密度的应用场景。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 800 | - | V |
    | 漏极连续电流 | ID | 5 | - | 3.9 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 21 | A |
    | 最大功率耗散 | PD | - | 190 | - | W |
    | 静态栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 开启状态电阻 | RDS(on) | - | 1.2 | - | Ω |
    | 栅源电荷 | Qg | - | 200 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 24 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 110 | - | nC |

    产品特点和优势


    1. 动态dv/dt评级:允许更高的瞬态电压变化率,提高系统稳定性。
    2. 重复雪崩评级:确保在恶劣工作条件下可靠的性能。
    3. 中央隔离安装孔:简化散热设计,增强热管理能力。
    4. 快速开关:减少开关损耗,提高能效。
    5. 容易并联:多个MOSFET并联时性能稳定。
    6. 简单的驱动需求:降低电路复杂度,方便使用。
    7. 符合RoHS指令:环保,适合大规模生产应用。

    应用案例和使用建议


    本产品广泛应用于逆变器、直流到直流转换器和电机驱动器等领域。对于逆变器应用,考虑到MOSFET的工作频率和效率要求,建议选择合适的驱动电路以减少损耗。在电机驱动器应用中,需要考虑负载特性和散热设计,确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    VBM18R05S / VBMB18R05S MOSFET可与大多数标准电源管理系统兼容。制造商提供全面的技术支持和客户服务,包括产品文档、样品请求和应用技术支持。如果您在使用过程中遇到任何问题,可联系客户支持团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查驱动电路和输入信号的正确性 |
    | 温度过高 | 改善散热设计,增加散热片或使用水冷系统 |
    | 无法正常开启 | 检查栅源电压是否达到开启阈值 |
    | 输出波形异常 | 确认外部电路连接正确且无短路现象 |

    总结和推荐


    总体来看,VBM18R05S / VBMB18R05S MOSFET具有出色的性能和可靠性,适用于多种高功率密度的应用场景。其高开关速度、低导通电阻和良好的温度特性使其成为电力电子系统中的优选器件。强烈推荐在需要高效、高速功率转换的应用中使用本产品。

VBE18R05S参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 5A
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE18R05S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE18R05S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBE18R05S VBE18R05S数据手册

VBE18R05S封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 5.7305
10+ ¥ 5.2188
30+ ¥ 4.9266
100+ ¥ 4.3388
1000+ ¥ 4.1751
3000+ ¥ 4.0932
库存: 20
起订量: 1 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 5.73
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336