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VBP165R20S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247
供应商型号: VBP165R20S TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBP165R20S

VBP165R20S概述

    N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 650V (D-S) 超级结功率 MOSFET 是一种高性能的半导体器件,适用于多种高要求的应用场合。这种 MOSFET 主要用于低电阻率和高效率的电力转换应用,如服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明设备(如高强度放电灯和荧光灯)。它以其低导通电阻(RDS(on))和快速开关性能著称,在保证高效转换的同时能够显著降低系统功耗。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 最大漏源电压 (VDS): 650V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±30V
    - 漏极连续电流 (TJ=150°C): 20A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 160A
    - 雪崩能量 (EAS): 1000mJ
    - 最大功耗 (PD): 200W
    - 最高工作温度 (TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 650V
    - 门限电压 (VGS(th)): 2.5-4.5V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.160Ω (VGS=10V)
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 2300pF
    - 输出电容 (Coss): 330pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 42nC
    - 开关时间 (td(on)): 18ns
    - 关断时间 (td(off)): 80ns

    产品特点和优势


    - 低功耗:具有低RDS(on)和低Qg,这使得该器件能够在保持高效能的同时显著减少损耗。
    - 快速开关性能:出色的Ciss值和快速开关时间使其成为需要高频操作的应用的理想选择。
    - 高可靠性:通过严格的可靠性测试,确保在各种恶劣环境下长期稳定运行。
    - 高集成度:适用于小型化设计,适合现代紧凑型电源设备。

    应用案例和使用建议


    该器件被广泛应用于服务器和电信电源、SMPS、PFC 和照明设备等场景。例如,在LED照明系统中,它可以有效提升系统的整体效率,同时保持较低的热输出。
    - 建议使用场景:
    - 电源转换电路,特别是那些对效率和热管理有严格要求的应用。
    - 通信设备中的开关电源模块,提高电源转换效率。

    - 使用建议:
    - 在进行焊接时,建议使用符合标准的焊接条件(如峰值温度不超过260°C)。
    - 确保适当的散热措施,以避免过热和性能下降。

    兼容性和支持


    该产品可与标准TO-247封装的其他电子元器件或设备兼容。VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,包括但不限于在线技术支持、客户定制咨询和技术培训。

    常见问题与解决方案


    - 问题:工作温度超过额定范围会出现什么情况?
    - 解答:如果工作温度超出规定范围(-55°C 至 +150°C),可能会导致器件性能不稳定甚至损坏。务必确保安装在符合温度要求的环境中。

    - 问题:器件的漏极电流是否可以超载?
    - 解答:不建议超载。在正常操作条件下,请不要让器件的工作电流超过其额定值,以避免损坏。

    总结和推荐


    总体而言,这款N-Channel 650V超级结功率MOSFET是高性能电力转换和控制应用的理想选择。其卓越的性能、可靠性及广泛的应用范围使它在市场上具有很高的竞争力。我们强烈推荐在对效率和热管理有严格要求的应用中使用此器件。如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请随时联系我们的客户服务热线 400-655-8788。

VBP165R20S参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBP165R20S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBP165R20S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBP165R20S VBP165R20S数据手册

VBP165R20S封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 10.7639
100+ ¥ 9.9666
500+ ¥ 9.1693
900+ ¥ 8.7706
库存: 30000
起订量: 5 增量: 300
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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