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VBP16R25S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,25A,RDS(ON),0.120Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247
供应商型号: VBP16R25S TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBP16R25S

VBP16R25S概述

    # N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET VBP16R25S 技术手册

    产品简介


    N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET(VBP16R25S)是一款高性能的功率开关器件,主要用于服务器、电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及其他工业和照明应用,例如高强度放电(HID)灯和荧光灯管。该产品具有低损耗和高效率的特点,特别适用于需要高可靠性和低功耗的应用场合。

    技术参数


    静态特性
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 600V(\( V{GS}=0V \), \( ID=1mA \))
    - 漏源开启电阻 \( R{DS(on)} \): 0.120Ω(\( V{GS}=10V \))
    - 门源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.5-4.5V
    - 门源漏电流 \( I{DSS} \): ≤1μA(\( V{DS}=480V \), \( V{GS}=0V \), \( TJ=125℃ \))
    动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 800pF(\( V{GS}=0V \), \( V{DS}=100V \), \( f=1MHz \))
    - 输出电容 \( C{oss} \): 80pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): -4pF
    - 有效输出电容 \( C{o(er)} \): 63pF(\( V{DS}=0V\rightarrow520V \), \( V{GS}=0V \))
    - 总门电荷 \( Qg \): 8nC(\( V{GS}=10V \), \( ID=8A \), \( V{DS}=520V \))
    - 门源电荷 \( Q{gs} \): 15nC
    - 门漏电荷 \( Q{gd} \): 19nC
    - 开通延迟时间 \( td(on) \): 18ns(\( V{DD}=520V \), \( ID=8A \), \( V{GS}=10V \), \( Rg=9.1Ω \))
    - 上升时间 \( tr \): 24ns
    - 关断延迟时间 \( td(off) \): 80ns
    - 下降时间 \( tf \): 12ns
    - 门输入电阻 \( Rg \): 0.8Ω(\( f=1MHz \))
    其他特性
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 980mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \): 155W
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J}, T{STG} \): -55℃ 到 +150℃
    - 结温系数 \( \Delta V{DS}/TJ \): -0.70V/℃(参考至25℃,\( ID=1mA \))

    产品特点和优势


    1. 低阻抗和快速恢复特性:该器件具备非常低的 \( R{DS(on)} \),同时具有超快体二极管,可减少开关损耗。
    2. 高效能和高可靠性:超低的门电荷 \( Qg \) 和重复性评级,确保在高频开关应用中的可靠性。
    3. 广泛的应用范围:适用于多种高压应用,包括工业、电信、服务器等领域。
    4. 优良的散热设计:提供较低的热阻 \( R{thJC} \)(0.57℃/W),提高热管理效能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电信电源系统:由于其高可靠性,VBP16R25S被广泛用于电信电源系统,以保证高频率下的稳定运行。
    - 照明应用:在高强度放电灯(HID)和荧光灯的应用中,该器件表现出色,提供了高效的能源转换和控制。
    - 服务器电源:VBP16R25S可用于服务器电源,提升电源转换效率,减少能源浪费。
    使用建议
    - 优化电路设计:根据电路要求选择合适的 \( V{GS} \) 和 \( Rg \) 值,确保最佳性能。
    - 正确散热管理:由于最大功率耗散较高,需要有效的散热设计以避免过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:VBP16R25S 采用 TO-247 封装,兼容大多数标准应用中的其他电子元件和设备。
    - 支持和服务:VBsemi 提供详细的技术文档和支持,客户可通过 400-655-8788 联系服务热线获得帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 如何降低温度上升?
    - 解决方案:加强散热措施,如增加散热片,改进通风条件。
    2. 如何提高电路稳定性?
    - 解决方案:调整电路参数,确保合理的 \( V{GS} \) 和 \( Rg \) 设置。
    3. 如何延长产品寿命?
    - 解决方案:遵循正确的操作规程和维护程序,避免过载和高温工作环境。

    总结和推荐


    VBP16R25S 在众多高压应用领域中展现出卓越的性能,包括但不限于电信、服务器电源及照明应用。其低 \( R{DS(on)} \) 和高可靠性使其成为高频率开关的理想选择。推荐在需要高效能和高可靠性的应用场合中使用此器件。

VBP16R25S参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 10V
配置 -
Id-连续漏极电流 25A
通道数量 -
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

VBP16R25S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBP16R25S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBP16R25S VBP16R25S数据手册

VBP16R25S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 16.9529
100+ ¥ 15.6972
500+ ¥ 14.4414
900+ ¥ 13.8135
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起订量: 5 增量: 300
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