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VBMB16R31S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,31A,RDS(ON),0.090Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO220F
供应商型号: VBMB16R31S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBMB16R31S

VBMB16R31S概述

    N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),主要用于高电压、高电流的开关电源设计。该产品以其低导通电阻(Ron)和低栅极电荷(Qg)著称,适用于多种工业和消费电子应用,如服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源、以及照明系统(如高强度放电灯(HID)和荧光灯球泡)。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术参数:
    - 漏源电压(VDS):最大为600V
    - 导通电阻(RDS(on)):在25°C时为0.090Ω(VGS = 10V)
    - 连续漏极电流(ID):在TJ = 150°C时为31A(VGS = 10V)
    - 脉冲漏极电流(IDM):最高为93A
    - 最大功率耗散(PD):180W
    - 热阻(RthJA):最大为62°C/W(结到环境)
    - 反向恢复时间(trr):典型值为475ns
    - 有效输出电容(Co):典型值为63pF(VDS = 0V至520V,VGS = 0V)
    - 栅极总电荷(Qg):典型值为62nC(VGS = 10V)

    产品特点和优势


    这款N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET 具有以下显著特点:
    - 低栅极电荷(Qg):有助于降低功耗和提升开关速度。
    - 超快体二极管:改善了开关性能,减少了反向恢复时间。
    - 低导通电阻(Ron):减小了导通损耗。
    - 重复雪崩能量(EAS):提高了可靠性。
    - 优化的温度系数:确保在不同工作条件下保持稳定的性能。
    这些特性使其成为高效能、低损耗的理想选择,在多种应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及照明系统。对于使用场景如下:
    - 服务器和电信电源:通过低导通电阻和快速开关特性,实现更高的能效和更低的温升。
    - 照明系统:例如在HID灯和荧光灯球泡中,用于精确控制灯的开关和调光,提高灯具的整体效率。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,建议采取有效的散热措施以保证正常工作。
    - 使用高频开关时,注意考虑MOSFET的热阻和开关速度,以避免过热损坏。

    兼容性和支持


    该产品与标准的TO-220封装兼容,便于在电路板上安装和焊接。厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括产品手册、应用指南和在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    以下是使用过程中可能出现的一些常见问题及解决办法:
    - 问题1:过热导致设备失效。
    - 解决方案:确保良好的散热措施,使用适当的散热器并保持良好的空气流通。

    - 问题2:开关频率不稳定。
    - 解决方案:检查电路布局,确保没有信号干扰,并优化驱动电路的设计。
    - 问题3:启动时出现异常电流波动。
    - 解决方案:调整栅极电阻(Rg),优化启动时的栅极电压上升时间,以减少电流冲击。

    总结和推荐


    总体来看,N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET 在其应用领域具有显著的优势,如低导通电阻、低栅极电荷和快速开关特性,适用于高可靠性的工业和消费电子产品。建议在需要高效率和高可靠性电力转换的应用中采用此产品。如果您需要在特定应用中获得更详细的支持,请联系我们的客户服务团队。
    联系信息:
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com

VBMB16R31S参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 31A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 600V
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBMB16R31S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBMB16R31S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBMB16R31S VBMB16R31S数据手册

VBMB16R31S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 17.4015
100+ ¥ 16.1125
500+ ¥ 14.8235
1000+ ¥ 14.1789
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型号 价格(含增值税)
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