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VBL16R25S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,25A,RDS(ON),0.120Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO263
供应商型号: VBL16R25S TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL16R25S

VBL16R25S概述

    N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 600V (D-S) 超级结功率 MOSFET 是一款高性能电子元器件,广泛应用于电源管理领域。该产品采用先进的超级结技术,具有低导通电阻和低门极电荷的特点。主要应用领域包括服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应系统(SMPS)、功率因数校正电源供应系统(PFC)以及各种照明系统,如高强度放电灯(HID)和荧光灯照明。此外,该产品还适用于工业领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 600 | - | V |
    | 漏极连续电流 | ID | 25 | 100 | - | A |
    | 集电极脉冲电流 | IDM | - | 16 | 75 | A |
    | 击穿电压 | BVDSS | - | 600 | - | V |
    | 门源阈值电压 | VGS(th) | 2.5 | - | 4.5 | V |
    | 开启时延 | td(on) | 18 | - | 2 | ns |
    | 关闭时延 | td(off) | 80 | - | - | ns |
    | 上升时间 | tr | 24 | - | 55 | ns |
    | 下降时间 | tf | 1 | - | 2 | ns |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 42 | - | nC |
    | 门源电荷 | Qgs | - | 15 | - | nC |
    | 门漏电荷 | Qgd | - | 19 | - | nC |

    产品特点和优势


    N-Channel 600V 超级结功率 MOSFET 的主要特点是低导通电阻(Ron)和低门极电荷(Qg),这使其在降低开关损耗和传导损耗方面表现出色。具体来说:
    - 低图系数(FOM):Ron x Qg 较低,有利于提高转换效率。
    - 快速体二极管:能够实现高速开关,减少能量损失。
    - 超低门极电荷:减小了驱动功率需求,降低了控制电路的复杂度。
    - 高雪崩能量耐受能力:能够承受更高的冲击电流,增强了可靠性。
    这些特点使得该产品在高效率、高频转换和低损耗的场合表现优异,尤其适合在服务器和电信电源系统、工业电源等领域使用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源:利用其低损耗和高可靠性的特点,能够有效提升电源系统的能效。
    - 开关模式电源供应系统:低门极电荷和高效率的特点,使该产品成为理想选择。
    - 荧光灯照明:适合用于需要高效能转换的应用,减少能源浪费。
    使用建议
    - 在设计开关电源时,建议根据应用需求选择合适的门极电阻(Rg),以优化开关时间和电流波形。
    - 使用过程中应注意温度管理,避免过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与市场上主流的电源管理系统兼容,适合各种标准电路板设计。
    - 支持和服务:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,客户可通过官方网站或服务热线获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流应用中出现不稳定现象。
    - 解决方案:增加外部电容来稳定电流。

    2. 问题:长时间运行后温度过高。
    - 解决方案:改进散热设计,使用更大的散热片或风扇。

    总结和推荐


    N-Channel 600V 超级结功率 MOSFET 在低损耗和高效转换方面表现卓越,特别适合于服务器和电信电源系统、开关模式电源、功率因数校正电源供应系统以及各种工业应用。其独特的技术和优势使其在市场上具有较强的竞争力。综上所述,我们强烈推荐该产品作为高效能电源管理解决方案的首选。
    联系方式:服务热线:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com

VBL16R25S参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 25A
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL16R25S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL16R25S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBL16R25S VBL16R25S数据手册

VBL16R25S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 14.5306
100+ ¥ 13.4542
500+ ¥ 12.3779
800+ ¥ 11.8397
库存: 30000
起订量: 5 增量: 800
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型号 价格(含增值税)
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