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VBM1602

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,270A,RDS(ON),2.1mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-VBM1602 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM1602

VBM1602概述

    VBM1602 N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBM1602 是一款由VBsemi公司生产的N沟道60V(漏极-源极)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。其内部采用了先进的TrenchFET®技术,具有低热阻特性,非常适合各种高效率应用,如开关电源、电机驱动器和直流转换器等。VBM1602的性能稳定且可靠,特别适用于需要高效能输出的应用场合。

    技术参数


    以下是VBM1602的技术参数汇总:
    - 漏极-源极电压 (VDS): 60V
    - 门极-源极电压 (VGS): ±20V
    - 漏极连续电流 (ID): 270A (TC=25°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 600A (单脉冲)
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 281mJ
    - 最大功耗 (PD): 375W (TC=25°C)
    - 热阻率 (Junction-to-Ambient): 40°C/W
    - 门极-漏极电荷 (Qgd): 11Ω (f=1MHz)

    产品特点和优势


    1. TrenchFET®技术: 这种技术允许MOSFET拥有更低的导通电阻(RDS(on)),从而提高效率并减少发热。
    2. 低热阻设计: 使VBM1602能够在较高的工作温度下保持稳定的工作状态,降低散热需求。
    3. 100% Rg和UIS测试: 保证了产品的质量和可靠性。
    4. 宽泛的工作温度范围: -55°C至+175°C,适合各种严苛环境的应用。

    应用案例和使用建议


    VBM1602在许多电力转换和电机控制应用中得到了广泛的应用。例如,在开关电源中,可以显著提高转换效率,减少能量损耗。使用建议如下:
    - 在使用时需注意散热问题,特别是在高电流环境下,适当的散热措施是必要的。
    - 考虑到过压和过流保护的需求,建议在电路中加入相应的保护装置。
    - 在设计印制电路板(PCB)时,考虑到热管理,确保良好的空气流通和散热片的安装。

    兼容性和支持


    VBM1602可与其他标准的MOSFET插槽兼容,便于更换。此外,VBsemi提供了详尽的技术文档和支持,帮助用户解决可能遇到的问题。如有任何技术问题,可以通过服务热线400-655-8788联系厂商获取支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题一: 过温保护
    - 解决方案: 使用散热器或增加冷却风扇以改善散热效果。
    - 问题二: 电流过载
    - 解决方案: 在电路中添加熔断器或限流电路以防止电流过载。
    - 问题三: 阈值电压不稳定
    - 解决方案: 检查门极-源极电压设置,确保其在规定范围内。

    总结和推荐


    综上所述,VBM1602 N-Channel 60V MOSFET凭借其高效的TrenchFET®技术和优良的热管理特性,适用于各种高要求的应用场景。它的高可靠性和稳定性使得它成为众多电源管理和电机控制应用的理想选择。因此,我们强烈推荐使用VBM1602来提升系统的性能和可靠性。
    本技术手册详细介绍了VBM1602的特性和应用场景,希望可以帮助用户更好地了解和使用这款高性能的MOSFET产品。如果您有任何进一步的问题或需要技术支持,请随时联系我们的服务热线400-655-8788。

VBM1602参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 270A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.1mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

VBM1602厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM1602数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBM1602 VBM1602数据手册

VBM1602封装设计

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