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VBP16R34S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,34A,RDS(ON),0.080Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247
供应商型号: VBP16R34S TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBP16R34S

VBP16R34S概述

    VBP16R34S N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    VBP16R34S 是一款高性能的N沟道600V超级结功率MOSFET。它具备低导通电阻和低栅极电荷等优点,适用于多种高效率电源转换场合,如服务器和电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及工业照明等。

    技术参数


    以下是VBP16R34S的主要技术参数和规格:
    - 最大漏源电压(VDS):600V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):25°C时为0.080Ω
    - 持续漏电流(ID):25°C时为34A,100°C时为34A
    - 脉冲漏电流(IDM):最大值为20A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):1050mJ
    - 最大功耗(PD):165W
    - 绝对最大结到环境热阻(RthJA):≤62°C/W
    - 集电极到壳体热阻(RthJC):≤0.57°C/W
    - 输入电容(Ciss):3600pF
    - 输出电容(Coss):80pF
    - 反向传输电容(Crss):4pF
    - 有效输出电容(Co(er)):63pF
    - 总栅极电荷(Qg):6nC至8nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):15nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):1nC至9nC
    - 短路时的最大连续源极-漏极二极管电流(IS):34A
    - 反向恢复时间(trr):475ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):5.8μC

    产品特点和优势


    VBP16R34S具有如下独特优势:
    - 低FOM(Ron x Qg):这种低阻抗的组合使得器件能够在高效的转换中表现出色。
    - 超快体二极管:能够显著减少开关损耗。
    - 超低栅极电荷:有助于提高驱动速度,减少控制电路中的功耗。
    - 雪崩能力:器件能够在高压和高功率条件下稳定运行。
    这些特点使VBP16R34S成为高效率电源转换的理想选择,在服务器、电信设备及工业照明等场合有着广泛应用。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:适用于数据中心及大型通讯基站,保证高效稳定的电力供应。
    - 开关模式电源供应器:提供高效的电力转换,满足各类电子产品的需求。
    - 工业照明:在高亮度放电(HID)灯和荧光灯的电源模块中发挥关键作用。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保散热设计合理,以防止过热现象。
    - 尽可能采用最佳的布局和布线方式来减少杂散电感,进一步提升效率。

    兼容性和支持


    VBP16R34S 支持TO-247封装形式,便于集成到现有的系统中。制造商提供全面的技术支持,包括产品手册、设计指南及客户咨询热线(400-655-8788)。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:器件在高温下工作不正常。
    - 解决方案:确保良好的散热措施,比如使用散热片或增加冷却风扇。
    - 问题2:器件出现异常发热。
    - 解决方案:检查是否存在短路或其他电路故障,并采取相应的整改措施。
    - 问题3:器件损坏无法正常工作。
    - 解决方案:首先确认是否超过了器件的最大额定值,如有必要请重新设计电路。

    总结和推荐


    VBP16R34S是一款高性价比且高效的N沟道功率MOSFET,适合在多种高效率电力转换应用中使用。它具备出色的导通电阻和低栅极电荷特性,能够显著提升系统的整体能效。我们强烈推荐在需要高性能和高可靠性的应用中使用这款器件。

VBP16R34S参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 34A
Vds-漏源极击穿电压 600V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBP16R34S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBP16R34S数据手册

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VBP16R34S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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