处理中...

首页  >  产品百科  >  VBP185R50S

VBP185R50S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,850V,50A,RDS(ON),0.90Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247
供应商型号: VBP185R50S TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBP185R50S

VBP185R50S概述


    产品简介


    本产品是一款N沟道超结功率MOSFET(VBP185R50S),主要用于高压环境下的电力转换和控制。其主要功能包括开关电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、服务器和电信电源供应等。广泛应用于工业、照明(如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器)等领域。

    技术参数


    - 最高电压(VDS): 850V (在最大结温条件下)
    - 静态特性:
    - 通态电阻(RDS(on)): 0.90Ω (在VGS = 10V,ID = 16A条件下)
    - 突发二极管电流(ISM): 150A (脉冲)
    - 动态特性:
    - 输入电容(Ciss): 最大5600pF (在VGS = 0V, VDS = 100V, f = 1MHz条件下)
    - 输出电容(Coss): 80pF
    - 总栅极电荷(Qg): 105nC (在VGS = 10V,ID = 8A,VDS = 520V条件下)

    产品特点和优势


    1. 低损耗:具有低电阻率和快速开关特性,减少开关和导通损耗。
    2. 高可靠性:重复额定电压高达850V,单脉冲雪崩能量为1600mJ,确保长期稳定运行。
    3. 快速恢复:内置二极管具有快速恢复特性,适用于高频开关应用。
    4. 优化设计:超低栅极电荷(Qg),降低驱动损耗。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:可承受高压和高电流环境,适合电源转换。
    - 照明:如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器,需要快速开关和高耐压能力。
    - 工业应用:适用于高可靠性要求的工业控制系统。
    使用建议:在设计时应注意散热问题,确保良好的热管理系统以提高设备寿命和效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准TO-247封装兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持:制造商提供全面的技术支持,包括详细的使用手册和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关损耗过高
    - 解决方案: 调整驱动电阻(Rg)以优化栅极电荷,降低开关速度。

    2. 问题: 过高的温度
    - 解决方案: 改善散热机制,使用更大的散热片或强制风冷。

    总结和推荐


    VBP185R50S是一款高性能的N沟道超结功率MOSFET,具有优异的开关特性和低导通损耗。它非常适合用于高压环境下的电源管理和控制。虽然初期投资可能较高,但从长远来看,其高效的性能和可靠的稳定性将带来显著的效益。因此,我们强烈推荐使用这款产品。

VBP185R50S参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 850V
Rds(On)-漏源导通电阻 900mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 50A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBP185R50S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBP185R50S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBP185R50S VBP185R50S数据手册

VBP185R50S封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 48.4377
100+ ¥ 44.8497
500+ ¥ 41.2617
900+ ¥ 39.4677
库存: 30000
起订量: 1 增量: 300
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 48.43
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336