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VBP16R31S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,31A,RDS(ON),0.090Ω@10V,30Vgs(±V) 封装:TO247
供应商型号: VBP16R31S TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBP16R31S

VBP16R31S概述

    # N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品是一款高性能的N沟道600V(D-S)超级结功率MOSFET,适用于多种高要求的应用场合。它以其低导通电阻(RDS(on))和极低的门极电荷(Qg)而著称,有助于减少开关损耗和传导损耗。这款MOSFET广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应器以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)。

    技术参数


    基本参数
    - 最大漏源电压(VDS):600V
    - 最大栅源电压(VGS):±30V
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C):ID = 31A
    - 脉冲漏极电流(ISM):IDM = 93A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):1050mJ
    - 最大功耗(PD):165W
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55°C 至 +150°C
    静态参数
    - 击穿电压(VDS):600V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.5V 至 4.5V
    - 零栅压漏极电流(IDSS):≤ 1μA
    - 导通电阻(RDS(on)):0.090Ω(VGS = 10V,ID = 10A)
    - 栅极输入电阻(Rg):≤ 0.8Ω
    动态参数
    - 输入电容(Ciss):3430pF
    - 输出电容(Coss):80pF
    - 反向传输电容(Crss):4pF
    - 总栅极电荷(Qg):6.2nC
    - 门极-源极电荷(Qgs):15nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):19nC
    - 上升时间(tr):24ns
    - 关断延迟时间(td(off)):80ns
    其他参数
    - 散热电阻(RthJA):62°C/W
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):1050mJ
    - 最大功耗(PD):165W

    产品特点和优势


    1. 低电阻特性:超低导通电阻(RDS(on)),确保在大电流应用中低功耗。
    2. 快速恢复特性:超快的体二极管使其在高频应用中表现优异。
    3. 低门极电荷:低Qg特性显著降低了驱动电路的负担。
    4. 高可靠性:经过优化的设计和材料选择,保证了长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器和电信电源:为数据中心提供高效的电源转换。
    2. 开关模式电源(SMPS):提高电源效率,降低发热。
    3. 工业控制:应用于自动化控制系统中的电源管理模块。
    使用建议
    - 确保在电路设计时留有足够的散热措施,避免过热导致损坏。
    - 在高频应用中,应注意布局设计以减小寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    此款MOSFET可广泛应用于多种标准电路设计,且制造商提供了详尽的技术文档和支持。客户可通过制造商的服务热线400-655-8788获取更多技术支持和服务。

    常见问题与解决方案


    1. 如何处理过温问题?
    - 解决方法:增加散热器,优化电路布局,确保良好的通风条件。

    2. 如何防止噪声干扰?
    - 解决方法:在电路设计中增加滤波电容,减小走线长度以降低电磁干扰。

    总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel 600V超级结功率MOSFET凭借其出色的性能参数和应用优势,是工业级和商业级应用的理想选择。无论是服务器电源还是工业控制系统,这款MOSFET都能发挥出卓越的效果。强烈推荐在高要求的应用环境中使用。
    以上是关于N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET 的详细介绍,希望对您有所帮助。如需进一步咨询,欢迎随时联系制造商的服务热线400-655-8788。

VBP16R31S参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 31A
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBP16R31S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBP16R31S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBP16R31S VBP16R31S数据手册

VBP16R31S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 20.1824
100+ ¥ 18.6874
500+ ¥ 17.1924
900+ ¥ 16.4449
库存: 30000
起订量: 5 增量: 300
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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