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VBQE165R20S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: DFN8X8;N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON)=160mΩ@10V,VGS=±30V;
供应商型号: 14M-VBQE165R20S DFN8X8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBQE165R20S

VBQE165R20S概述

    # N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品为一款N-沟道650V(D-S)超级结功率MOSFET,专为需要高效率和低损耗的应用而设计。该MOSFET具有低导通电阻和高可靠性,广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯镇流器)等领域。

    技术参数


    以下是该产品的技术规格和性能参数:
    - 额定电压 (VDS):650V(最大值)
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):0.160Ω(在25°C时,VGS=10V)
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2.5V - 4.5V
    - 输入电容 (Ciss):2600pF(VGS=0V,VDS=100V,f=1MHz)
    - 输出电容 (Coss):330pF
    - 反向传输电容 (Crss):4pF
    - 有效输出电容(能量相关)(Co(er)):63pF
    - 有效输出电容(时间相关)(Co(tr)):213pF
    - 总栅极电荷 (Qg):60nC(VGS=10V,ID=20A,VDS=520V)
    - 开启延迟时间 (td(on)):18ns(VDD=520V,ID=20A,VGS=10V,Rg=9.1Ω)
    - 上升时间 (tr):24ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)):80ns
    - 反向恢复时间 (trr):520ns(TJ=25°C,IF=IS=8A,dI/dt=100A/μs,VR=400V)
    - 反向恢复电荷 (Qrr):5.8μC

    产品特点和优势


    该产品具有以下显著特点和优势:
    - 低损耗:具备低导通电阻和低栅极电荷,可减少开关和导通损耗。
    - 快速响应:具有较低的输入电容和有效的反向传输电容,有利于快速切换。
    - 高可靠性:经过严格的测试,具有良好的耐受能力和长期稳定性。
    - 适用性强:适用于多种应用领域,如电源管理、照明系统等,具有广泛的兼容性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源:该MOSFET适用于服务器和电信设备中的电源模块,提高系统的稳定性和能效。
    - 开关模式电源(SMPS):在高效能的电源转换中,该产品能够有效降低能耗并提升系统整体效率。
    - 照明系统:在高强度放电灯和荧光灯镇流器中,该MOSFET可以提供高效的电力转换。
    使用建议
    - 环境温度控制:由于该MOSFET的工作温度范围为-55°C到+150°C,建议在高温环境下使用时采取散热措施,以避免过热。
    - 驱动电路设计:为了充分利用其低损耗特性,建议使用适当的驱动电路,以优化栅极电荷和开关速度。

    兼容性和支持


    该产品设计符合RoHS和无卤素标准,确保环保和安全。厂商提供详尽的技术支持和服务,包括使用指南和故障排除方案。如需更多帮助,可联系服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方法:
    - 问题:设备在高温环境下工作异常
    - 解决办法:确保安装散热装置,检查环境温度是否超过规定范围。
    - 问题:设备启动时出现不稳定
    - 解决办法:检查驱动电路是否配置正确,确保栅极电荷在规定范围内。
    - 问题:设备关机时反向恢复电流过大
    - 解决办法:使用外部缓冲电路,以减轻反向恢复电流的影响。

    总结和推荐


    这款N-Channel 650V超级结功率MOSFET凭借其出色的低损耗特性和高可靠性,在多个应用领域表现出色。其广泛应用在电源管理和照明系统中,具有广泛的市场前景。综上所述,我们强烈推荐这款产品用于各种高要求的应用场景。如需进一步技术支持,请联系服务热线:400-655-8788。

VBQE165R20S参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 20A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 DFN-8
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBQE165R20S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBQE165R20S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBQE165R20S VBQE165R20S数据手册

VBQE165R20S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 13.711
10+ ¥ 12.4869
30+ ¥ 11.7876
100+ ¥ 10.3812
5000+ ¥ 9.9894
15000+ ¥ 9.7936
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