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FDB33N25TM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO263;N—Channel沟道,250V,45A,RDS(ON),47mΩ@10V,56.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V);
供应商型号: 14M-FDB33N25TM TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDB33N25TM

FDB33N25TM概述

    FDB33N25TM-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDB33N25TM-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N-沟道MOSFET。它具有高可靠性、高效率的特点,适用于多种工业应用。这种MOSFET采用先进的TrenchFET技术,能够在极端的工作环境中稳定运行,如高温、高湿度等环境。其主要功能是在电源转换器、电机驱动和电池管理等系统中充当开关元件,实现电流的精确控制。

    技术参数


    以下是FDB33N25TM-VB的关键技术参数列表:
    - 额定电压 (VDS):250 V
    - 栅源电压 (VGS):±30 V
    - 连续漏极电流 (ID):60 A(当温度为175°C时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):200 A
    - 反向恢复时间 (trr):22 ns(当IF = 45 A时)
    - 最大功率耗散 (PD):300 W(当环境温度为25°C时)
    其他电气特性和工作环境如下:
    - 栅阈值电压 (VGS(th)):2 V 至 4 V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):1 µA
    - 工作温度范围 (TJ):-55°C 至 175°C
    - 热阻 (RthJA):40 °C/W(当安装在PCB上时)
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS):250 V
    - 开态漏源电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V、ID = 30 A 时:0.040 Ω
    - 在 VGS = 6 V、ID = 25 A 时:0.045 Ω

    产品特点和优势


    FDB33N25TM-VB 的主要特点是:
    - TrenchFET® 技术:提供高效的电流开关能力,降低导通电阻,提高能效。
    - 高温性能:能够承受高达175°C的工作温度,适用于高温环境下的工业应用。
    - 低热阻封装:新的封装设计显著降低了热阻,提高了散热效率。
    - RoHS 合规性:符合欧盟RoHS指令,适用于环保要求严格的市场。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于各种工业设备,如电源转换器、电机驱动系统、电池管理系统等。具体应用示例如下:
    - 电机驱动:作为电机驱动系统的开关元件,实现高效电流控制。
    - 电源转换器:用于DC-DC转换器中,实现稳定的电压转换。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应考虑其额定工作温度,并确保适当的散热措施。
    - 对于高电流应用,应注意其最大电流限制,避免过载导致损坏。

    兼容性和支持


    FDB32N25TM-VB 可以与其他常见的电子元器件配合使用,适用于标准的工业接口。厂商提供了详细的技术支持和售后服务,客户可以通过电话或官方网站获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些问题及解决方案:
    - 问题:工作温度超过额定值,导致器件失效。
    - 解决方案:确保使用散热片或风扇进行有效的散热。
    - 问题:启动延迟时间长。
    - 解决方案:检查驱动电路设计,确保合理的驱动电压和电流。

    总结和推荐


    FDB33N25TM-VB N-Channel MOSFET凭借其高可靠性、高效能和宽工作温度范围,在众多工业应用中表现出色。其独特的TrenchFET技术和先进的封装设计使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐在需要高性能和高可靠性的工业应用中使用该产品。

FDB33N25TM参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ
Vds-漏源极击穿电压 250V
栅极电荷 63nC@ 10V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
Id-连续漏极电流 33A
最大功率耗散 300W
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5nF
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDB33N25TM厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDB33N25TM数据手册

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FDB33N25TM封装设计

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