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NVTR4503NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2~2.2Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-NVTR4503NT1G SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NVTR4503NT1G

NVTR4503NT1G概述

    NVTR4503NT1G-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NVTR4503NT1G-VB 是一款 N 沟道 30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 TrenchFET® 功率 MOSFET 类型。它具有低导通电阻(RDS(on))、高效率和广泛的应用范围。这种 MOSFET 广泛应用于直流-直流转换器和其他需要高效功率控制的应用场景。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS):30V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20V
    - 额定连续漏电流 (ID):6.5A (TJ = 150°C),5.3A (TA = 25°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM):25A (TC = 25°C)
    - 最大功率耗散 (PD):1.7W (TC = 70°C), 1.1W (TA = 25°C)
    - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 储存温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS):30V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):0.7V 至 2.0V
    - 开启状态漏源电阻 (RDS(on)):0.030Ω (VGS = 10V),0.033Ω (VGS = 4.5V)
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss):335pF (VDS = 15V, VGS = 0V)
    - 输出电容 (Coss):45pF
    - 门极电荷 (Qg):4.5nC (VDS = 15V, VGS = 4.5V)
    - 转换电导 (gfs):11S (VDS = 15V, ID = 4.8A)

    产品特点和优势


    NVTR4503NT1G-VB 具有以下显著特点:
    - 低导通电阻:确保低功耗和高效率。
    - 快速开关性能:具有较短的上升时间和下降时间,适合高频应用。
    - 宽温度范围:工作和存储温度范围广,适应多种环境。
    - 符合 RoHS 和无卤素标准:环保设计,满足国际标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC/DC 转换器
    - 电池充电电路
    - 稳压电源
    使用建议:
    - 在高频应用中,应选择合适的栅极电阻 (Rg) 来减少门极震荡。
    - 使用时应注意散热管理,特别是高温环境下的功率损耗问题。

    兼容性和支持


    NVTR4503NT1G-VB 的外形尺寸为 SOT-23 (TO-236),可直接焊接在标准 FR4 印刷电路板上。制造商提供了全面的技术支持和售后服务,包括详细的用户指南和技术文档,以及在线客服支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何正确安装此 MOSFET?
    - 答:应遵循手册中的安装指南,确保正确的引脚连接和适当的散热措施。

    2. 问:如果出现过热现象,应该采取什么措施?
    - 答:增加外部散热片或改进散热设计,必要时可考虑降低工作负载。

    总结和推荐


    NVTR4503NT1G-VB 是一款高性能的 N 沟道 30V MOSFET,具备出色的电气特性和广泛的应用领域。其低导通电阻和快速开关性能使其非常适合高频应用。总体而言,这款 MOSFET 非常值得推荐用于需要高效率和稳定性的应用场景。
    推荐指数:★★★★☆
    以上是对 NVTR4503NT1G-VB 技术手册的详细解读。希望本文能帮助您更好地了解这款 MOSFET 的特性和应用。

NVTR4503NT1G参数

参数
栅极电荷 3.6nC@ 10V
Id-连续漏极电流 18A
Rds(On)-漏源导通电阻 2.546nF@25V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 335pF@15V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 1.7W
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NVTR4503NT1G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NVTR4503NT1G数据手册

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