处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTA48P05T

IXTA48P05T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-80A,RDS(ON),21mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2.1Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-IXTA48P05T TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTA48P05T

IXTA48P05T概述

    IXTA48P05T-VB P-Channel 60-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IXTA48P05T-VB 是一款由VBsemi生产的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种器件主要用于负载开关应用,例如电源管理和开关控制等领域。由于其高可靠性和良好的性能指标,这款MOSFET广泛应用于消费电子、工业设备及通信系统等多种场合。

    技术参数


    - 电压特性
    - 击穿电压(VDS):-60V
    - 阈值电压(VGS(th)):-1至-3V
    - 最大门源泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 电流特性
    - 持续漏极电流(ID):在TC = 25°C时为-80A
    - 脉冲漏极电流(IMD):-150A
    - 最大脉冲源漏二极管电流(ISM):-150A
    - 电阻特性
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):在VGS = -10V,ID = -30A时为0.019Ω;在VGS = -4.5V,ID = -20A时为0.025Ω
    - 电容特性
    - 输入电容(CISS):3500pF
    - 输出电容(COSS):390pF
    - 反向转移电容(CRSS):290pF
    - 热特性
    - 最大结壳热阻(RthJC):0.98°C/W
    - 最大结环境热阻(RthJA):33°C/W

    产品特点和优势


    IXTA48P05T-VB 具有多种独特的技术和性能优势:
    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的沟槽技术,显著提高了导电效率并降低了导通电阻。
    - 100% UIS 测试:保证了器件在极端条件下的可靠性。
    - 低栅极电荷:栅极电荷典型值为76nC,有助于减少开关损耗和提高能效。
    - 宽广的工作温度范围:可在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作。

    应用案例和使用建议


    IXTA48P05T-VB 在多种应用场景中表现出色,特别是在需要高性能功率管理的应用中:
    - 负载开关:用于电源管理和保护电路中。
    - 电源转换:在各种电源转换拓扑结构中实现高效控制。
    - 电机驱动:适用于需要快速响应和高可靠性的电机控制系统。
    在实际使用中,建议注意以下几点:
    - 确保电路设计能够满足MOSFET的最大工作条件。
    - 在高频率应用中,考虑输出电容和反向转移电容的影响,以优化电路性能。
    - 保持适当的散热措施,特别是当器件工作于高温环境下时。

    兼容性和支持


    IXTA48P05T-VB 采用D2PAK封装,易于安装和集成到现有的电路板上。对于客户的技术支持,VBsemi提供详细的文档资料、样品和技术咨询服务,确保用户能够有效地使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过温保护不足
    - 解决方案:确保散热设计合理,考虑使用外部散热片或其他冷却方法。

    - 问题2:开关损耗较高
    - 解决方案:选择更合适的驱动电路,优化栅极电阻,以降低开关损耗。

    - 问题3:输出不稳定
    - 解决方案:检查电路连接,确保所有接线正确无误,并确认电源稳定性。

    总结和推荐


    IXTA48P05T-VB P沟道60-V MOSFET 具有优异的性能和高度的可靠性,适用于多种负载开关和电源管理应用。其出色的温度特性和低栅极电荷使得它成为高性能电源管理系统的理想选择。强烈推荐给需要高性能、高可靠性的电子产品设计者和制造商。

IXTA48P05T参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IXTA48P05T厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTA48P05T数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXTA48P05T IXTA48P05T数据手册

IXTA48P05T封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 2.9796
库存: 50
起订量: 5 增量: 800
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 14.89
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336