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IPB108N15N3 G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,90A,RDS(ON),11mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263
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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB108N15N3 G

IPB108N15N3 G概述

    IPB108N15N3G-VB N-Channel 150V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPB108N15N3G-VB 是一种N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),特别适用于高效率电源管理及电机驱动应用。这款MOSFET具有出色的开关性能,能适应广泛的工作温度范围,非常适合在工业、汽车和消费电子产品中使用。它的关键特性使其成为电力电子领域中的理想选择。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):150V
    - 最大连续漏极电流 (ID):80A(TC=25°C),57A(TC=125°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):180A
    - 反向雪崩电流 (IL):70A
    - 单次反向雪崩能量 (EAS):200mJ
    - 最大功率耗散 (PD):378W(TC=25°C),125W(TC=125°C)
    - 栅极电阻 (Rg):1.5Ω(f=1MHz)
    - 阈值电压 (VGS(th)): 2V - 4V
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS):1μA @ VDS=150V, TJ=125°C
    - 导通状态漏极电流 (ID(on)): 70A
    - 导通状态电阻 (RDS(on)): 0.01Ω(VGS=10V, ID=10A)

    产品特点和优势


    - ThunderFET® 技术:提高了整体的性能和可靠性。
    - 高温操作能力:可承受高达175°C的结温,确保在极端条件下的稳定工作。
    - 严格的测试标准:100%的Rg和UIS测试确保了可靠性和一致性。
    - 广泛的应用场景:适用于多种高功率应用,包括不间断电源、照明、同步整流等。

    应用案例和使用建议


    - 不间断电源 (UPS):用于后备电池的充电和放电管理。
    - 交流/直流开关电源:提高电源转换效率,降低损耗。
    - 同步整流:改善电源输出的波形质量,提高效率。
    - 直流/交流逆变器:实现高效的直流到交流转换。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,确保散热设计良好,以防止热失控。
    - 使用合适的栅极驱动电路来减少开关损耗。
    - 根据应用需求,适当调整负载条件,确保在安全范围内操作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与大多数标准电路板和模块兼容,适合嵌入到现有的电源管理系统中。
    - 支持和服务:制造商提供全面的技术支持,包括详细的设计指南和应用笔记,确保客户能够顺利集成该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何避免过热?
    解决方案:确保良好的散热设计,如添加散热片和风扇,保持MOSFET在安全工作范围内。
    - 问题2:如何正确安装?
    解决方案:按照数据手册中的安装指南进行安装,确保连接正确无误,避免短路。

    总结和推荐


    IPB108N15N3G-VB N-Channel 150V MOSFET 在其性能指标上表现出色,尤其是在高温环境下的可靠性和广泛的适用性使其在市场上具有很强的竞争优势。我们强烈推荐在需要高性能和高可靠性的电力电子系统中使用这款产品。总体而言,这款MOSFET是高功率应用的理想选择。

IPB108N15N3 G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPB108N15N3 G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB108N15N3 G数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB108N15N3 G IPB108N15N3 G数据手册

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型号 价格(含增值税)
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