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VBP19R20S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,900V,20A,RDS(ON),270mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO247
供应商型号: 14M-VBP19R20S TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBP19R20S

VBP19R20S概述

    VBP19R20S N-Channel 900V Super Junction Power MOSFET

    1. 产品简介


    VBP19R20S是一款N沟道超级结功率MOSFET,专为高电压、低损耗的应用设计。其主要功能包括低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)以及快速开关能力。这款产品适用于多种高能效电源转换应用,如服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)。

    2. 技术参数


    以下是VBP19R20S的关键技术规格:
    - 最大漏源电压 (VDS): 900 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±30 V
    - 连续漏极电流 (ID): 20 A (TJ = 25 °C),10 A (TJ = 100 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 12 A (单脉冲),60 A (重复脉冲)
    - 最大雪崩能量 (EAS): 1000 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 105 W
    - 热阻 (RthJA): 62 °C/W
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS): 900 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.5 ~ 4.5 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.205 Ω (VGS = 10 V, ID = 6.5 A)
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 2500 pF
    - 输出电容 (Coss): 330 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 52 nC (VGS = 10 V, ID = 20 A, VDS = 520 V)

    3. 产品特点和优势


    VBP19R20S具备多项独特功能和优势:
    - 低品质因数 (Ron x Qg): 提供更佳的能效和更低的损耗。
    - 低输入电容: 有助于减少开关损耗。
    - 超低栅极电荷: 支持快速开关,提高系统效率。
    - 雪崩耐受性: 适用于各种高电压环境。
    这些特点使其成为高效率电源转换应用的理想选择,能够在确保可靠性的前提下显著提升能效。

    4. 应用案例和使用建议


    VBP19R20S在多个高电压、高能效的应用场景中得到了广泛应用。例如,在服务器和电信电源中,它可以有效降低损耗并提高转换效率;在开关模式电源(SMPS)中,快速的开关速度可以进一步减少能耗。为了充分发挥其性能,建议用户:
    - 在高温环境下使用时,要考虑到热阻对性能的影响,合理规划散热方案。
    - 确保电路设计能够承受高电压冲击,特别是在启动和故障情况下。

    5. 兼容性和支持


    VBP19R20S具有良好的兼容性,可以与其他标准电源组件配合使用。厂商提供了详尽的技术支持文档和售后服务,以帮助客户更好地理解和使用该产品。同时,产品符合RoHS和无卤素标准,确保环境友好。

    6. 常见问题与解决方案


    根据技术手册中的常见问题和解决方案,以下是几个用户可能会遇到的问题及其解决方法:
    - 问题: 高温环境下性能下降。
    - 解决方法: 通过改善散热系统来降低工作温度,如增加散热片或使用散热风扇。

    - 问题: 开关频率过高导致发热严重。
    - 解决方法: 减少开关频率或优化电路设计以减小损耗。

    7. 总结和推荐


    总体而言,VBP19R20S是一款高性能、低损耗的N沟道超级结功率MOSFET,特别适合于高电压和高能效要求的应用场合。其优异的特性使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐给需要高性能电源管理解决方案的用户。如果您需要更多的技术支持或有其他具体需求,可随时联系服务热线:400-655-8788。

VBP19R20S参数

参数
Id-连续漏极电流 20A
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 270mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBP19R20S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBP19R20S数据手册

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VBP19R20S封装设计

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