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VBL1402

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: VBL1402 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL1402

VBL1402概述

    N-Channel 4 V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本产品是一款N沟道4 V(D-S)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于TrenchFET®功率MOSFET系列。这种类型的MOSFET主要应用于同步整流和电源供应系统。它具有高可靠性、高性能和低导通电阻的特点,使其成为多种电子设备的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是该MOSFET的主要技术规格:
    - 电压参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 4 V
    - 门源电压 \( V{GS} \): ± 25 V
    - 额定连续漏极电流 (TJ = 175 °C): 150 A (TC = 25 °C), 120 A (TC = 70 °C)

    - 导通电阻
    - 在 VGS = 10 V时为 0.0017 Ω
    - 在 VGS = 4.5 V时为 0.0025 Ω
    - 栅极电荷
    - 门源电荷 \( Q{gs} \): 30 nC
    - 门漏电荷 \( Q{gd} \): 16 nC
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 120 nC (典型值), 180 nC (最大值)
    - 电容
    - 输入电容 \( C{iss} \): 9000 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 650 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 450 pF
    - 最大耗散功率
    - 在 TC = 25 °C时为 312 W
    - 在 TC = 70 °C时为 200 W

    3. 产品特点和优势


    该N-Channel MOSFET的主要特点如下:
    - 高效率: 低导通电阻保证了高效的电流传输,减少了能量损耗。
    - 高速开关: 快速的上升和下降时间使其适用于高频开关应用。
    - 高可靠性: 100% 测试验证,确保在极端条件下的可靠性。
    - 广泛应用: 广泛用于同步整流和电源供应系统,确保系统的稳定性和高效性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 同步整流: 由于其低导通电阻和快速开关特性,该MOSFET特别适合于同步整流电路,能有效降低损耗并提高效率。
    - 电源供应: 在电源供应系统中,其低导通电阻可显著减少发热,提高整体系统稳定性。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需要考虑散热设计,以确保不会超过其额定温度。
    - 调整驱动电压,以实现最佳的导通状态和开关速度。

    5. 兼容性和支持


    该产品采用D2PAK (TO-263) 封装,符合RoHS标准。制造商提供详细的安装指南和技术支持服务。如有疑问,可通过服务热线400-655-8788联系获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关速度慢。
    - 解决方案: 确保栅极电阻 \( Rg \) 适当,以加速开关过程。
    - 问题: 发热严重。
    - 解决方案: 增加散热措施,如散热片或散热器。
    - 问题: 导通电阻不稳定。
    - 解决方案: 确保在规定的工作温度范围内使用,避免超出极限参数。

    7. 总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel 4 V (D-S) MOSFET具备出色的性能和可靠性,非常适合用于电源管理和同步整流等应用场合。其低导通电阻和高开关频率使得它在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐此产品给需要高效能电子元件的设计工程师。

VBL1402参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 180A
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL1402厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL1402数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBL1402 VBL1402数据手册

VBL1402封装设计

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