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NTR4501NT3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-NTR4501NT3G SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTR4501NT3G

NTR4501NT3G概述

    NTR4501NT3G-VB N-Channel 20 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTR4501NT3G-VB 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有极低的导通电阻和高效能的特点。它适用于多种电子设备中,如直流-直流转换器、便携式设备负载开关等领域。其核心特性是采用了先进的 TrenchFET® 技术,保证了卓越的电气特性和稳定性。

    2. 技术参数


    - 漏源电压 (VDS):20V
    - 栅源电压 (VGS):±12V
    - 连续漏电流 (ID):6A(Ta=25°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM):20A(Ta=25°C)
    - 最大功率耗散 (PD):2.1W(Ta=25°C)
    - 绝对最大额定值:20V 漏源电压,±12V 栅源电压
    - 热阻:RθJA 80-100°C/W
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS=4.5V 时:0.028Ω
    - 在 VGS=2.5V 时:0.042Ω
    - 在 VGS=1.8V 时:0.050Ω
    - 输入电容 (Ciss):865pF
    - 输出电容 (Coss):105pF
    - 反向传输电容 (Crss):55pF
    - 总栅极电荷 (Qg):8.8nC(VDS=10V,VGS=4.5V,ID=5.0A)

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:显著降低导通电阻,提高效率。
    - 100% Rg 测试:确保每颗器件的可靠性和一致性。
    - 符合 RoHS 和无卤素标准:满足环保要求,适合绿色电子产品。
    - 低热阻:有效的散热设计,延长使用寿命。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:NTR4501NT3G-VB 可用于电池供电设备的电源管理电路,如智能手机、平板电脑等。此外,它也可作为高频开关应用中的关键组件,如逆变器、DC/DC 转换器。
    - 使用建议:为了确保最佳性能和可靠性,建议将 MOSFET 表面贴装在带有良好散热能力的 PCB 上。在高电流条件下,应适当增加散热措施以避免过热。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NTR4501NT3G-VB 可与常见的 PCB 设计兼容,如 SOT-23 封装标准。它支持广泛的电气连接,适合多种应用场景。
    - 技术支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和客户服务支持,包括在线资源、电话支持和电子邮件咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的漏电流
    - 解决方案:检查电路设计,确保正确设置栅极电阻和驱动信号。必要时增加外部散热片。
    - 问题2:导通电阻偏高
    - 解决方案:确认栅极电压 VGS 达到或超过阈值电压。在高温环境下可能需要选择更低 RDS(on) 的型号。
    - 问题3:温度过高导致失效
    - 解决方案:采用散热片或散热器加强散热。优化电路设计,减少热耗散。

    7. 总结和推荐


    NTR4501NT3G-VB 是一款高效可靠的 N 沟道 MOSFET,特别适合于需要高性能和小尺寸的应用场景。其低导通电阻、高可靠性以及广泛的兼容性使其成为电池供电设备、逆变器和其他电力电子应用的理想选择。强烈推荐给寻求高性能、高可靠性的电子产品设计师。

NTR4501NT3G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTR4501NT3G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTR4501NT3G数据手册

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