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VBE1102M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,12A,RDS(ON),200mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8VVth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-VBE1102M TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE1102M

VBE1102M概述


    产品简介


    VBE1102M N-Channel 100-V MOSFET
    VBE1102M是一款采用TO-252封装的N沟道100V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电子设备中的开关和电源管理应用。它具有出色的热管理和低导通电阻特性,使得该器件特别适合于高频切换应用。此外,VBE1102M符合环保标准,不含卤素,符合IEC 61249-2-21的规定。

    技术参数


    - 额定电压:VDS = 100 V
    - 连续漏极电流:ID = 12 A (TC = 25 °C),ID = 7.5 A (TC = 100 °C)
    - 脉冲漏极电流:IDM = 37 A
    - 最大功率耗散:PD = 60 W (TC = 25 °C),PD = 3.7 W (TA = 25 °C)
    - 最大结温:TJ = 175 °C
    - 导通电阻:RDS(on) = 0.20 Ω (VGS = 10 V)
    - 栅极电荷:Qg = 16 nC (VGS = 10 V)
    - 输入电容:Ciss = 360 pF (VGS = 0 V)
    - 反向转移电容:Crss = 34 pF
    - 栅源电荷:Qgs = 4.4 nC
    - 栅漏电荷:Qgd = 7.7 nC
    - 总栅电荷:Qg = 16 nC (VGS = 10 V)
    - 上升时间:tr = 30 ns
    - 正向恢复时间:ton = 0 ns(由内部寄生电感LS和LD决定)
    - 反向恢复时间:trr = 110 ns
    - 反向恢复电荷:Qrr = 0.53 μC

    产品特点和优势


    1. 快速切换:得益于其低RDS(on)和高速度特性,VBE1102M非常适合需要高频切换的应用。
    2. 动态dv/dt评级:其高动态dv/dt评级使得其能够承受较大的电压变化率。
    3. 重复雪崩评定:能够在极端条件下可靠工作,提供了额外的安全系数。
    4. 宽温度范围:能够承受-55°C至+175°C的工作温度范围,适用于多种恶劣环境。
    5. 易于并联:其特性使得多个器件可以容易地并联使用,提高电路的整体容量。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换器:利用其高耐压和低导通电阻特性,在电源转换器中作为开关元件。
    - 电机驱动:适合于工业控制系统中的电机驱动电路。
    - 光伏逆变器:作为光伏逆变器中的关键开关元件。
    使用建议:
    - 散热设计:考虑到其高功耗和高温环境下的工作特性,需要良好的散热设计来保证长期稳定运行。
    - 电路布局:减少寄生电感以避免不必要的电压波动,特别是考虑到其快速开关速度。

    兼容性和支持


    VBE1102M采用TO-252封装,易于与其他同类产品互换使用。制造商提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 什么是dv/dt控制?
    - A: dv/dt控制是指对器件的电压变化率进行限制,通过调节栅极电阻Rg实现,防止过高的电压变化导致器件损坏。
    2. Q: 在什么情况下应该使用VBE1102M?
    - A: 适用于需要高频率切换、高耐压和高可靠性的应用场合,如电源转换器、电机驱动和光伏逆变器。

    总结和推荐


    总结:VBE1102M以其高可靠性、高性能和广泛应用范围成为了一款值得推荐的N沟道100V MOSFET。它的快速切换特性、高耐压能力和广泛的温度适应范围使其成为了现代电力电子设备的理想选择。
    推荐:对于寻求高性能且能在严苛环境中可靠工作的MOSFET器件的设计者和工程师,我们强烈推荐使用VBE1102M。

VBE1102M参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8VV
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 12A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

VBE1102M厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE1102M数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBE1102M VBE1102M数据手册

VBE1102M封装设计

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