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NTJS3151PT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-20V,-4.5A,RDS(ON),38mΩ@4.5V,45mΩ@2.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SC70-6
供应商型号: 14M-NTJS3151PT1G SC70-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTJS3151PT1G

NTJS3151PT1G概述

    # 产品概述

    产品简介


    NTJS3151PT1G-VB是一款P沟道MOSFET器件,适用于便携式设备中的负载开关应用。该产品具有多种功能特性,能够满足不同的设计需求,适用于智能手机、数码相机、便携式游戏机、MP3播放器及GPS导航系统等多种设备。

    技术参数


    - 基本特性:
    - 卤素无添加(符合IEC 61249-2-21定义)
    - TrenchFET®功率MOSFET
    - 100% Rg测试
    - 符合RoHS指令2002/95/EC
    - 电气参数:
    - 漏源电压VDS:-20V
    - 最大连续漏极电流ID:-4A
    - 最大脉冲漏极电流IDM:-25A
    - 漏源导通电阻RDS(on):
    - VGS = -4.5V时为0.034Ω
    - VGS = -2.5V时为0.045Ω
    - VGS = -1.8V时为0.067Ω
    - 热阻抗:
    - 最大结壳热阻RthJC:2.8°C/W
    - 最大结到空气热阻RthJA:60°C/W
    - 最大结到引脚(漏极)稳态热阻RthJF:34°C/W
    - 存储温度范围:-55°C 至 150°C
    - 封装:SOT-363 和 SC-70 (6-LEADS)

    产品特点和优势


    NTJS3151PT1G-VB的主要优势在于其高可靠性、低导通电阻及优秀的热管理能力。具体如下:
    - 卤素无添加:满足环保要求,有助于减少对环境的影响。
    - TrenchFET®技术:通过采用先进的沟槽工艺,实现更低的导通电阻和更小的尺寸。
    - 100% Rg测试:确保每只器件都经过严格的质量检测,提高产品的可靠性和一致性。
    - 符合RoHS指令:减少有害物质的使用,保障产品的环保性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 便携式设备的负载开关:例如手机、数码相机、便携式游戏机、MP3播放器及GPS导航系统。
    使用建议
    - 在应用中应注意确保适当的散热措施,以避免因过热导致器件损坏。
    - 考虑使用带有良好散热设计的PCB布局,以降低热阻并提高可靠性。
    - 针对不同的应用场景,需进行充分的热模拟及电路仿真,确保器件能够在额定条件下正常工作。

    兼容性和支持


    - NTJS3151PT1G-VB可以与其他电子元件良好兼容,适用于各种便携式设备中的负载开关。
    - 提供详细的技术支持文档和客户服务热线(400-655-8788),帮助客户解决使用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    - Q: 最大工作电压是多少?
    - A: 漏源最大工作电压VDS为-20V。

    - Q: 是否有详细的封装图纸可供参考?
    - A: 封装图纸可以在手册的相应部分找到,包括各引脚的具体位置和尺寸。
    - Q: 如何应对过热问题?
    - A: 应考虑采用适当的散热措施,如增加散热片或采用高效能散热材料。

    总结和推荐


    NTJS3151PT1G-VB作为一款高性能的P沟道MOSFET,凭借其出色的电气特性和可靠性,适用于多种便携式设备中的负载开关应用。其独特的技术和环保特性使其在市场上具有很强的竞争力。因此,我们强烈推荐在相关应用中采用此款产品,特别是在对可靠性和性能有较高要求的设计项目中。
    请注意,产品规格可能会有所变动,请及时参阅最新的技术手册获取最新信息。

NTJS3151PT1G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 SC-70-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTJS3151PT1G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTJS3151PT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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NTJS3151PT1G封装设计

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