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BSC340N08NS3 G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,30A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:DFN8(5X6)
供应商型号: 14M-BSC340N08NS3 G DFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) BSC340N08NS3 G

BSC340N08NS3 G概述

    # BSC340N08NS3 G-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    BSC340N08NS3 G-VB 是一款来自 VBsemi 的高性能 N 沟道 MOSFET,具有低导通电阻、高工作温度范围及高可靠性等特点。这款器件采用先进的 TrenchFET® 技术,适用于各种电源管理应用,尤其是隔离式 DC/DC 转换器。
    主要功能
    - N 沟道 MOSFET,适用于高电流、高频应用。
    - 最大耐压为 100V(D-S)。
    - 高可靠性,可在 175°C 的高温度环境下工作。
    应用领域
    - 隔离式 DC/DC 转换器
    - 电源管理
    - 电机驱动器
    - LED 照明系统

    技术参数


    以下是 BSC340N08NS3 G-VB 的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 100 | - | - | V |
    | 门源阈值电压 | VGS(th) | 3 | - | 5 | V |
    | 导通状态漏源电阻 | RDS(on) | - | 0.017 | - | Ω (VGS=10V, ID=10A) |
    | 门电荷 | Qg | - | 20 | - | nC (VDS=50V, VGS=10V, ID=10A) |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1470 | - | pF (VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz) |
    | 输出电容 | Coss | - | 132 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 11.2 | - | pF |
    工作环境
    - 绝对最大额定值:栅极-源极电压 ±20V,连续漏极电流 30A(TJ=150°C)
    - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 最大功率耗散:60W(TA=25°C),40W(TA=70°C)

    产品特点和优势


    BSC340N08NS3 G-VB 的主要特点和优势包括:
    - 高可靠性:可承受高达 175°C 的工作温度。
    - 低热阻封装:确保在高功率运行时有良好的散热效果。
    - 零门电压漏极电流低:在无偏置电压下漏极电流非常低,进一步减少功耗。
    - 先进的 TrenchFET® 技术:提高开关速度和降低导通电阻,提升整体效率。

    应用案例和使用建议


    BSC340N08NS3 G-VB 在隔离式 DC/DC 转换器中的应用广泛,例如用于通信电源系统或工业控制设备中。为了更好地利用其性能,建议在设计电路时考虑以下几点:
    - 选择合适的栅极电阻:合理的栅极电阻可以优化开关时间和降低 EMI 干扰。
    - 确保良好的散热设计:由于其高功率密度,良好的散热设计是保证长期稳定运行的关键。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与市场上大多数直流转换器和其他电源管理系统高度兼容。
    - 厂商支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和在线支持,客户可通过服务热线 400-655-8788 获得技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问:在高电流下运行时,器件发热严重怎么办?
    - 答:应改善散热设计,增加散热片或使用散热更好的 PCB 材料如铝基板。
    2. 问:开机时电流冲击过大如何处理?
    - 答:可以通过增加外部缓冲电路或调整电路布局来减缓电流冲击。

    总结和推荐


    BSC340N08NS3 G-VB 是一款非常适合高可靠性要求的应用场合的 MOSFET,尤其是在高功率、高温度环境中。其卓越的性能和高可靠性使其成为众多应用的理想选择。总体而言,强烈推荐在需要高性能 N 沟道 MOSFET 的应用中使用该器件。
    更多详细资料和使用说明,请参阅 [VBsemi 官网](www.VBsemi.com) 或联系技术支持。

BSC340N08NS3 G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

BSC340N08NS3 G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

BSC340N08NS3 G数据手册

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BSC340N08NS3 G封装设计

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