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IPD90N06S4L-06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,110A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.8Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IPD90N06S4L-06 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD90N06S4L-06

IPD90N06S4L-06概述

    IPD90N06S4L-06-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPD90N06S4L-06-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET。这种器件采用TrenchFET技术制造,具有低导通电阻(RDS(on))和高可靠性,适用于各种电力转换和驱动电路的应用。该产品特别适用于需要高温运行(最高可达175℃)的场合,广泛应用于汽车电子、电源管理、电机驱动等领域。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0V ~ 4.0V
    - 零栅压漏电流 (IDSS): VDS = 60V 时,TJ = 175℃ 时最大为150μA
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 101mJ
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 45A
    - 连续源电流 (IS): 100A
    - 持续漏极电流 (ID): TC = 25℃ 时为97A,TC = 125℃ 时为56A
    - 最大功率耗散 (PD): TC = 25℃ 时为136W,TC = 125℃ 时为45W
    - 热阻 (RthJA): 50°C/W (PCB安装)
    - 栅电阻 (Rg): 1Ω ~ 3Ω
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C ~ +175°C

    产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的TrenchFET技术,确保低导通电阻和高效率。
    - 低热阻封装:采用低热阻设计,可有效散热,提升器件长期工作的可靠性。
    - 100% Rg和UIS测试:确保每个器件都经过严格的质量控制和测试。
    - 宽工作温度范围:可在极端环境下可靠工作,适用范围广泛。

    应用案例和使用建议


    IPD90N06S4L-06-VB MOSFET非常适合用于高压电力转换系统,如电动车的电机驱动和电源逆变器。它也可以应用于其他需要大电流和高耐压的场合。建议在使用过程中注意散热设计,避免过热导致的器件损坏。另外,当需要长时间在高温环境下工作时,应选用散热效果更好的PCB材料。

    兼容性和支持


    IPD90N06S4L-06-VB MOSFET与标准的TO-252封装相兼容,可以轻松替换现有的类似产品。台湾VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利集成和使用这款器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过热导致器件失效。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用大面积的散热板或者增加风扇辅助散热。

    - 问题2:启动电流过大。
    - 解决方案:在驱动电路中添加适当的缓冲电路或限流电阻,以限制启动电流。

    总结和推荐


    IPD90N06S4L-06-VB是一款高性能、高可靠的N沟道MOSFET,适用于多种电力转换和驱动电路应用。其卓越的热管理和高可靠性使其成为众多应用场景的理想选择。强烈推荐在需要高效能电力转换和可靠性的项目中使用此器件。
    该总结涵盖了IPD90N06S4L-06-VB MOSFET的主要特性和应用信息,希望能够为您提供有价值的参考。如果您有任何进一步的需求或疑问,请随时联系我们的技术支持团队。

IPD90N06S4L-06参数

参数
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD90N06S4L-06厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD90N06S4L-06数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD90N06S4L-06 IPD90N06S4L-06数据手册

IPD90N06S4L-06封装设计

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型号 价格(含增值税)
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