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IPB80N04S2-H4

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,40V,100A,RDS(ON),5mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-IPB80N04S2-H4 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB80N04S2-H4

IPB80N04S2-H4概述

    IPB80N04S2-H4-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPB80N04S2-H4-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,专为多种应用设计。它采用ThunderFET®技术,具有出色的性能和可靠性。这款MOSFET适用于直流电机驱动、电源管理、LED照明、工业控制等领域。

    技术参数


    - 电压等级:最高40V(漏源电压VDS)
    - 电流等级:最大100A(连续漏极电流ID)
    - 阈值电压:1V至3V
    - 栅极泄漏电流:±100nA(当VDS = 0V,VGS = ±20V时)
    - 零栅压漏极电流IDSS:最大100μA(VDS = 40V,VGS = 0V,TJ = 125°C时)
    主要性能参数
    - 导通电阻RDS(on):
    - VGS = 10V时:0.005Ω
    - VGS = 4.5V时:0.006Ω
    - 总栅极电荷Qg:典型值53nC(VDS = 20V,VGS = 10V,ID = 30A时)
    - 最大功耗PD:25°C时150W;125°C时98W
    工作环境
    - 工作温度范围:-55°C至+175°C
    - 存储温度范围:-55°C至+175°C
    - 热阻:结点到环境(PCB安装)RthJA为40°C/W;结点到外壳(漏极)RthJC为0.75°C/W

    产品特点和优势


    - 高耐温能力:结点温度可达175°C,适合恶劣环境
    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试通过
    - 快速开关性能:优秀的动态特性,适合高频应用
    - 低导通电阻:确保高效能操作,减少功耗

    应用案例和使用建议


    - 应用示例:
    - 直流电机驱动:适用于需要大电流和高频率的电机控制系统。
    - 电源管理:用于高效率的DC-DC转换器。
    - LED照明:用于LED驱动电路,提供稳定的电流。
    - 使用建议:
    - 在使用过程中,应注意散热设计,特别是对于高电流和高频率的应用,应保证良好的散热条件。
    - 建议在实际应用中测量实际的工作温度和电流,以确保MOSFET工作在安全范围内。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPB80N04S2-H4-VB采用标准TO-263封装,可直接替换市场上常见的其他N沟道MOSFET。
    - 支持和服务:请联系制造商获取更多技术支持和售后服务,联系电话:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备过热
    - 解决方案:增加散热片或改善散热设计,确保结点温度不超过175°C。

    - 问题2:电流波动较大
    - 解决方案:检查电路布局和接线,确保接地良好,避免噪声干扰。

    总结和推荐


    IPB80N04S2-H4-VB N沟道MOSFET是一款高性能的功率半导体器件,适用于多种应用领域。其高耐温能力和低导通电阻使其成为许多高性能应用的理想选择。强烈推荐在需要高可靠性和高效率的场合下使用该产品。
    联系我们获得更多信息和技术支持:400-655-8788。

IPB80N04S2-H4参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 2.5W(Ta),104W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.33nF@20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Id-连续漏极电流 36A,100A
Rds(On)-漏源导通电阻 990μΩ@ 36A,10V
配置 -
栅极电荷 288nC
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPB80N04S2-H4厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB80N04S2-H4数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB80N04S2-H4 IPB80N04S2-H4数据手册

IPB80N04S2-H4封装设计

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