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FDT459N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,7A,RDS(ON),25mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOT223-3
供应商型号: 14M--FDT459N SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDT459N

FDT459N概述

    FDT459N-VB N-Channel 30 V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    FDT459N-VB 是一款由VBsemi推出的N沟道MOSFET,主要用于电力转换和电源管理领域。这款器件采用了先进的TrenchFET技术,适用于多种应用,包括开关电源、电机驱动、逆变器和电源管理模块等。

    技术参数


    - 电压参数
    - 最大漏源电压 (VDS):30V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 (ID):7A(在25°C时),4.5A(在125°C时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):31A(脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%)
    - 电阻参数
    - 导通电阻 (RDS(on)):在VGS = 10V时为0.019Ω;在VGS = 4.5V时为0.021Ω
    - 零栅压漏极电流 (IDSS):在VDS = 30V时,最高可达-50μA
    - 热性能
    - 热阻 (Junction-to-Ambient PCB Mount):110°C/W
    - 热阻 (Junction-to-Foot):38°C/W

    产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:该技术提高了器件的开关速度和效率,降低了损耗。
    - 100% Rg和UIS测试:确保产品的可靠性和稳定性。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):在不同温度下均表现出优秀的性能,确保在各种工作条件下具有稳定的输出电流。

    应用案例和使用建议


    应用场景:FDT459N-VB广泛应用于开关电源、电池充电器、电机驱动和电源管理模块等领域。例如,在一个开关电源设计中,它可以作为高压侧开关来提高效率并减少损耗。
    使用建议:
    - 散热管理:由于其较高的功耗,建议使用合适的散热片以避免过热。
    - 驱动电路设计:在设计驱动电路时,应确保驱动电压能够使器件达到最佳导通状态。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FDT459N-VB可与其他标准N沟道MOSFET器件互换使用,具有良好的兼容性。
    - 支持和服务:VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的驱动电压?
    - 解决方案:应根据器件的数据手册选择合适的VGS电压,通常在10V左右。

    - 问题2:如何正确安装散热片?
    - 解决方案:确保散热片与器件直接接触,且接触面平整,以确保良好的热传导。

    总结和推荐


    FDT459N-VB凭借其卓越的性能和高可靠性,是一款理想的高压N沟道MOSFET。无论是用于电源管理和电机驱动,还是其他需要高压大电流的应用场合,它都能表现出色。因此,我们强烈推荐将其作为电力转换和控制领域的首选器件。
    如有任何疑问或需要技术支持,请联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

FDT459N参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDT459N厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDT459N数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDT459N FDT459N数据手册

FDT459N封装设计

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