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HUF75639S3ST

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-HUF75639S3ST TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HUF75639S3ST

HUF75639S3ST概述

    HUF75639S3ST-VB Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HUF75639S3ST-VB 是一款由VBsemi公司生产的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。这款产品采用单通道配置,适用于多种电路设计需求,具有低导通电阻和高动态开关速率的特点。它主要用于电源管理、电机驱动、逆变器和其他需要高效能功率控制的应用场景。

    2. 技术参数


    以下是HUF75639S3ST-VB的关键技术参数:
    - 额定电压:VDS = 100V
    - 导通电阻:RDS(on) = 0.020Ω (VGS = 10V)
    - 最大连续电流:ID = 70A (TC = 25°C),ID = 56A (TC = 100°C)
    - 脉冲电流:IDM = 250A
    - 栅极阈值电压:VGS(th) = 2.0~4.0V
    - 总栅极电荷:Qg = 70nC
    - 反向恢复时间:trr = 300ns(TJ = 25°C, IS = 20A)
    - 体二极管最大瞬态电流:ISM = 72A

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on)仅为0.020Ω (VGS = 10V),这意味着在导通状态下的损耗非常低,有利于提高整体效率。
    - 高开关速度:快速切换能力使其适合于高频应用。
    - 宽工作温度范围:能够在-55°C到+150°C的温度范围内稳定运行,确保在恶劣环境下也能正常工作。
    - 无卤素材料:符合IEC 61249-2-21标准,更加环保。
    - 完全雪崩击穿等级:在极端条件下具备卓越的可靠性和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    HUF75639S3ST-VB广泛应用于电源管理和电机驱动领域。例如,在一个典型的开关电源应用中,可以将其作为高压侧或低压侧开关元件来使用。在具体设计中,建议仔细考虑散热设计以确保器件在长期大电流负载下能够保持良好的热稳定性。
    使用建议:
    - 确保电路板设计有足够的散热措施,如增加散热片或者使用更大的PCB铜箔层。
    - 在选择外部驱动电阻时,需考虑到开关过程中的损耗,避免过大的损耗导致器件过热。

    5. 兼容性和支持


    HUF75639S3ST-VB可与市场上常见的电源管理系统及控制电路板兼容。VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括产品的详细规格书、测试报告和技术支持热线(400-655-8788)。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何确保器件的可靠性?
    - A: 在设计过程中应充分考虑散热问题,特别是在高温环境下工作的场合。可以通过添加散热片或改善PCB设计来增强散热效果。

    - Q: 在高电流脉冲条件下如何防止损坏?
    - A: 保证驱动电路设计合理,避免瞬间大电流冲击。同时确保器件安装在足够大且具有良好散热性能的PCB上。

    7. 总结和推荐


    总体而言,HUF75639S3ST-VB是一款性能优异的功率MOSFET,具备低导通电阻、高开关速度及宽工作温度范围等优点。其广泛应用在电源管理、电机驱动等领域,并得到良好的市场反馈。因此,我们强烈推荐此产品给需要高性能功率控制的客户。

HUF75639S3ST参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HUF75639S3ST厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HUF75639S3ST数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HUF75639S3ST HUF75639S3ST数据手册

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