处理中...

首页  >  产品百科  >  VBQA2157N

VBQA2157N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-150V,-25A,RDS(ON),65mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-4Vth(V);DFN8(5X6)
供应商型号: 14M-K3051-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBQA2157N

VBQA2157N概述

    P-Channel 150-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    本产品为P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为VBQA2157N。其具有TrenchFET®技术,可提供低导通电阻(RDS(on))和高功率密度,主要应用于负载开关(Load Switch)等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):150V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏电流(TJ = 150 °C):ID = 20A(TA = 25 °C),ID = 18.1A(TA = 70 °C)
    - 单脉冲雪崩能量(AS):12mJ
    - 最大耗散功率:PD = 10W(TA = 25 °C),PD = 7W(TA = 70 °C)
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压(VDS):150V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):-1.5V ~ -3V
    - 导通电阻(RDS(on)):0.0Ω(VGS = -10V),RDS(on) = 7Ω(VGS = -4.5V)
    - 动态特性
    - 输入电容(Ciss):5000pF(VDS = -25V,VGS = 0V)
    - 输出电容(Coss):390pF
    - 反向转移电容(Crss):290pF
    - 总栅极电荷(Qg):76nC(VDS = -30V,VGS = -10V)

    产品特点和优势


    - 高可靠性:100% UIS测试确保产品可靠。
    - 低导通电阻:RDS(on)值低,可减少损耗。
    - 高耐压能力:最大漏源电压达到150V,适用于高压环境。
    - 快速响应时间:得益于先进的TrenchFET®技术,具有较快的开关速度。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:本产品广泛应用于负载开关,尤其是在需要高压控制的场合,如电源管理和驱动电机。
    - 使用建议:建议在设计电路时考虑散热问题,确保连续工作时的温度不超过最大允许值,以保证长期稳定运行。另外,应选择合适的驱动信号频率,以避免高频操作带来的额外热损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与多种电子元器件和系统兼容,适合集成到现有的电路设计中。
    - 技术支持:厂商提供详细的技术支持和维护文档,用户可通过服务热线400-655-8788获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:过高的工作温度导致器件失效。
    - 解决方法:检查散热片安装是否正确,必要时增加散热片或风扇。

    - 问题二:无法实现预期的开关频率。
    - 解决方法:确认驱动信号的频率和幅度是否满足要求,适当调整驱动电路参数。

    总结和推荐


    综上所述,VBQA2157N P-Channel 150-V MOSFET是一款性能优良的产品,具有低导通电阻、高耐压能力和快速响应时间等优点,非常适合用于高压负载开关的应用场合。鉴于其良好的市场表现和强大的技术支持,强烈推荐在相关项目中使用该产品。

VBQA2157N参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-4V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@10V,70mΩ@4.5V
配置 -
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 150V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 25A
通用封装 DFN-5
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBQA2157N厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBQA2157N数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBQA2157N VBQA2157N数据手册

VBQA2157N封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 8.868
10+ ¥ 8.0762
30+ ¥ 7.624
100+ ¥ 6.7143
5000+ ¥ 6.461
15000+ ¥ 6.3343
库存: 14
起订量: 1 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 8.86
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336